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71.
利用速调管放大器中间腔可以提高器件放大增益,并达到降低微波注入功率的要求,同时针对高功率微波相对论速调管放大器的特点,建立了一个带有两个中间腔的S波段相对论速调管放大器,采用特殊结构克服了多个中间腔引入的高次模影响,模拟上实现了在kW量级微波注入条件下,基波电流调制深度达到80%,输出微波3.3 GW。  相似文献   
72.
A simple broadband T-shaped waveguide branch in photonic crystals is constructed only by introducing three dielectric rods into the waveguide channels near branch region. Numerical results indicate that the bandwidth of high transmission (the total transmittance is larger than 95%) is over 415 nm centered at 1550 nm. Owing to its simple structure and broad enough bandwidth, this waveguide branch is expected to be applied to highly dense photonic integrated circuits.  相似文献   
73.
The interval and the radius of a pair of defect dielectric rods in waveguide channels near the branching region of a T-shaped waveguide branches are simultaneously varied, and their effects on the transmission properties are investigated using the finite-difference time-domain (FDTD) method. Numerical results show that there is an optimized region where the relative bandwidth of high-transmission (total transmittance 0.95) band of the branches is larger than 17%, which is higher than that of the existing same structures (11.60%) with fixed interval. These results provide for engineering application of simple T-shaped waveguide branches with high transmission.  相似文献   
74.
采用混合酸酐法合成了两种双二苷酰胺(bisdiglycolamide, BisDGA)萃取剂: N,N,N'',N''-四正辛基-N',N″-乙二基-双二苷酰胺(TOE-BisDGA)和N,N,N'',N''-四正辛基-N',N″-间苯二甲基-双二苷酰胺(TOX-BisDGA). 以磺化煤油和正辛醇混合溶液(体积比 90∶10)作稀释剂, 研究了它们在硝酸溶液中对Eu(Ⅲ)和Am(Ⅲ), 以及自身对HNO3的萃取行为. 结果表明, 2种BisDGAs对HNO3均有一定萃取, 当酸度不超过1.0 mol/L时, 二者形成1∶1型的萃合物. 随HNO3浓度增加, Eu(Ⅲ)和Am(Ⅲ)的萃取分配比增加. 相同条件下, TOE-BisDGA对Eu(Ⅲ)和Am(Ⅲ)的萃取能力强于TOX-BisDGA. 斜率分析表明TOE-BisDGA和TOX-BisDGA与Eu(Ⅲ)和Am(Ⅲ)均形成2∶1型的萃合物. 温度升高, 萃取分配比下降, 萃取反应是放热反应. 2种BisDGAs对Eu(Ⅲ)的亲和力强于对Am(Ⅲ)的亲合力, 表明BisDGAs对Eu(Ⅲ)有一定的选择性. 同时, 研究了BisDGAs萃取Eu(Ⅲ)和Am(Ⅲ)的机理, 给出了表观萃取平衡常数和萃取反应热力学函数ΔH, ΔS和ΔG的值. 此外, 还对TOE-BisDGA和TOX-BisDGA与Eu(Ⅲ)形成的配合物进行了红外和紫外光谱分析.  相似文献   
75.
半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。  相似文献   
76.
The effect of phosphate group modifications on formation and properties of G‐quadruplexes (G4s) has not been investigated in detail. Here, we evaluated the structural, thermodynamic and kinetic properties of the parallel G‐quadruplexes formed by oligodeoxynucleotides d(G4T), d(TG4T) and d(TG5T), in which all phosphates were replaced with N‐methanesulfonyl (mesyl) phosphoramidate or phosphoryl guanidine groups resulting in either negatively charged or neutral DNA sequences, respectively. We established that all modified sequences were able to form G‐quadruplexes of parallel topology; however, the presence of modifications led to a decrease in thermal stability relative to unmodified G4s. In contrast to negatively charged G4s, assembly of neutral G4 DNA species was faster in the presence of sodium ions than potassium ions, and was independent of the salt concentration used. Formation of mixed G4s composed of both native and neutral G‐rich strands has been detected using native gel electrophoresis, size‐exclusion chromatography and ESI‐MS. In summary, our results indicate that the phosphate modifications studied are compatible with G‐quadruplex formation, which could be used for the design of biologically active compounds.  相似文献   
77.
使用离子色谱分析了常温、常压、湿润和氧气存在条件下,NH3和Cl2γ-Al2O3颗粒物表面非均相反应的产物及其受NH3浓度、反应时间等的影响;并定量分析了NH3、Cl2、SO2和NO2单独及共存条件下,γ-Al2O3表面Cl-、NO3-和SO42-等二次无机颗粒物的生成总量.结果表明:NH3和Cl2γ-Al2O3表面具有协同作用,2 h后Cl-的生成总量可达589.65 μg,其生成量随时间延长而不断增加.表面氯化物的生成量在NH3浓度为400 ppm时达到峰值,且随NH3浓度的增加呈先增加而后减少的趋势.活性氯存在下,NH3对颗粒物表面Cl-、NO3-和SO42-的生成有促进作用,且四种气体共存时复合正反馈效应最明显.同时,本研究对NH3和Cl2在颗粒物表面的非均相反应机理及活性氯和氨的排放对大气中二次无机颗粒物的贡献进行了探讨.  相似文献   
78.
以形状记忆合金(SMA)纤维增强复合材料板为研究对象,根据SMA拟弹性曲线的特性,建立了一种SMA拟弹性应力-应变关系的分段线性化模型;在此基础上,采用分步能量平衡法,求解了SMA增强复合材料板受低速冲击时的横向位移和应力,分析了SMA的拟弹性特性对复合材料板低速冲击性能的影响.研究结果表明,SMA的能量吸收特性能有效地增强复合材料板抗低速冲击能力,板的最大位移和最大应力都明显减少.冲击速度为10m/s的情况下,板的最大挠度和应力降低了18%左右;冲击速度为25 m/s的情况下,板的最大挠度和应力降低了42%左右.  相似文献   
79.
本文对热电偶的工作原理、冷端温度补偿必要性作了说明,详细讨论了冷端温度补偿过程.分别介绍了两种热电偶冷端温度补偿电路在物理实验测量中的应用及校准方法.  相似文献   
80.
Improvement from the pseudo-elastic effect of shape memory alloy (SMA) on the low-velocity impact (LVI) resistance of a composite plate is investigated by the finite element method (FEM).The stiffness matrix of the dynamic finite element equation is established step by step and the martensite fraction is obtained at each time step.The direct Newmark integration method is employed in solving the dynamic finite element equation,while the impact contact force is determined using the modified Hertz's law.It is found that SMA can effectively improve the performance of a composite structure subjected to low-velocity impact.Numerical results show that the deflection of a SMA-hybrid composite plate has been reduced approximately by thirty percent when the volume fraction of the embedded SMA reaches 0.3.  相似文献   
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