水热合成ZnS:Cu,Al纳米晶体及其全色发射光谱特性

报道了水热法(200℃)直接合成的ZnS:Cu,Al纳米晶及其发光特性.ZnS:Cu,Al纳米晶粒径约15 nm,尺寸分布窄,分散性好,具有纯立方相的类球形结构.借助X射线能谱法(EDX)和原子吸收光谱仪,研究了样品中S,Zn和Cu的含量并详细研究了光致发光(PL)光谱的特性.结果证明存在大量Zn空缺,Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中.PL光谱特性为:样品的激发谱为宽带谱,337 nm激发时样品发出很强的绿光,370～420 nm之间任意波长激发时,发射谱均为宽带谱,且它们基本重合.表明此材料作为近紫外(370～410 nm)发光二极管((n)-UV(370～410 nm)LED)用荧光粉及全色荧光粉具有很大的应用潜力.样品在375 nm激发下全色宽带发射谱是460,510和576 nm带光谱的高斯叠加.当Cu/Zn,Cu/Al和S/Zn分别为3×10-4,2和3.0时,于室内照明条件下肉眼可观察到白色发光.     

级联弧放电氦等离子体特性研究

采用另加偏压的单阴极弧氦放电直线等离子体装置对氦等离子体的基本特性进行了研究。对氦轴向输运规律做了描述并与光谱测量数据做了定性地比较。实验结果表明,氦等离子体的电子温度与电子密度均随放电电流、约束磁场的增加而增加。氦原子与氦离子的辐射光谱随放电电流、偏压、磁场的变化规律进行了测量分析,同时氦离子对钨靶积分辐照效应进行了观察。这些结果不但提供了氦等离子体的基本特性,对于研究氦离子与面向等离子材料相互作用导致产生气泡、肿胀、脆化损伤等的评估,特别是对将来伴有(n, α)反应时具有一定的参考价值。     

1.65μm附近CH4分子高分辨率吸收光谱研究

采用连续可调谐二极管半导体激光器为探测光源,以可调怀特型长光程多通池(46.36～1158.90m)作为吸收池,采用直接吸收的方法,探测了室温下1.65μm附近CH4分子的高分辨率吸收光谱。在6043.00～6053.72cm-1范围内探测了5组不同压力和光程下的吸收光谱,观测到了259条线新的CH4分子吸收谱线,实验数据用Gaussian线型进行拟合,得到了这些吸收谱线的线强、线位置以及线强的标准偏差值,并对光谱中难以分辨的吸收谱线进行了分析。探测得到的最小谱线线强是4.3×10-27cm-1·(molcule·cm-2)-1,吸收谱线线强大于3.0×10-24cm-1·(mol·cm-2)-1由于吸收饱和而未被处理,同时所测得的光谱也显示出CH4分子在1.65μm附近有非常丰富的弱吸收谱线和复杂的结构。文中所报道的吸收谱线都是HITRAN2004数据库中所未报道的,而且也未见有其他文献报道过。     

不完全契约下政府实施公共品负担对私人部门行为选择影响机制研究

政府部门往往会承担公共品负担提高社会公共福利和满足社会诉求,私人部门在PPP项目建设运营中会采取机会主义行为损害政府部门利益和降低社会福利。本文运用演化博弈分析私人部门的机会主义行为演化机制。通过模型分析可得,当政府补贴系数低于一定程度时,私人部门采取机会主义行为的概率随着公共品负担强度的增加而增加;当政府实施公共品负担小于一定强度时,私人部门会随着政府补贴程度提高而不采取机会主义行为,而当公共品负担强度大于一定值时,政府补贴政策正相关性就被严重削弱;私人部门占据更多的利益分配比重,更有倾向采取机会主义行为。根据研究结果,政府部门应增强契约精神,公共品负担下,政府补贴并不能有效降低机会主义行为,而应完善监管机制和提升私人部门对项目收益的信心。     

多复变量亚纯函数的唯一性像集的两个结果

利用Cm上亚纯函数的性质(包括值分布理论),研究Cm上亚纯函数唯一性像集有关问题,并证明以下定理:令S={z∈Cm:zn-1=0},a为非零复数,且a2■S,k≥2为整数。f,g为Cm上级小于1的非常数亚纯函数,sum from b∈S(μ~bf,k)=sum from b∈S(μbg,k),且SuppDaf=SuppDag,则若n>(4+3/k+2/(k+1))(1+ε),得f=g。     

动力学椭圆代数Aq,p,(^π)(∧gln)的Drinfeld流

从推广的Yang-Baxter关系"RLL=LLR*"出发,利用高秩高斯分解,得到了动力学椭圆代数Aq,p,^π(∧gln)及其对应的Drinfeld流.其中R,R*是A(1)n-1面模型对应的谱参数有一关于代数中心平移的动力学R矩阵.     

旋转对称非球面自动加工控制算法研究

介绍了计算机控制光学表面成型（ＣＣＯＳ） 技术的基本原理,对双旋转磨头的去除函数进行研究,研究了不同形状的磨头的去除函数特性,并在多次实验的基础上得到了最优的加工参数,在去除函数的基础上提出了模板函数的概念及算法。根据加工旋转对称非球面光学表面的特点,结合模板函数提出了一种基于同心圆磨头运动轨迹的控制算法。运用该算法对神光Ⅲ号打靶非球面透镜的一种工艺试样（ Φ３００ｍ ｍ ,Ｆ５－９ ,最大非球面度为４６μｍ） 进行自动加工,面型精度达到１λ（ＲＭＳ,λ＝ ６３２－８ｎｍ）,取得了满意的结果。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

用PIV测量水泵开敞吸水池内突扩流动

吸水池内的涡旋流动将引发泵的振动、空化、空蚀和泵的效率下降,严重时会导致泵站不能正常工作,本文用PIV测量水泵开敞吸水池内突扩流道速度分布,实验表明流体通过突扩流道,整个流场可分为三个区域:主流区、过渡区和回流区.沿流动方向主流区速度相对较大,回流区速度相对较小,过渡区速度介于两者之间.涡带主要产生在靠近吸水池两侧壁,随着流动区域的扩展,靠近侧壁的涡流将消失.     

变化电压下扩散限制电解沉淀过程对铜的分形维数的影响

研究了铜的二维电解沉淀物在限制条件下的分形维数.拍摄了铜沉淀物随时间变化的照片,使用盒维法分析了各种条件下的豪斯多夫分形维数,并建立了计算机评估模型,以证明电压对豪斯多夫维数的重要影响.根据照片显示沉淀物的欧几里德几何形状也有着规则的变化.