Fe3O4薄膜的电输运及光诱导特性研究

用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe₃O₄薄膜.电阻-温度关系表明Fe₃O₄薄膜的Verwey转变(T_V)约在122 K,低温段(T_V)输运特征满足Mott变程跳跃模型,高温段(T>T_V)为小极化子输运.激光作用下的光电导实验发现,在整个温区表现为光致电阻率减小,而且低温段的电阻变化率比高温段要大很多.分析认为Fe₃O₄薄膜的光致电阻率变化主要与激光激发t_2g电子的转移有关. 关键词： 3O₄薄膜')" href="#">Fe₃O₄薄膜 小极化子 光诱导特性     

层状磁电复合材料谐振频率下的巨磁电容效应

对三明治复合结构Tb_xDy_1-xFe_2-y/Pb(Zr, Ti)O₃/Tb_xDy_1-xFe_2-y的电容与频率及磁场的函数关系进行了实验和理论研究. 实验发现,该复合材料样品的电容随频率的增加而出现多个谐振峰,并且其谐振点随磁场的增加而发生频移. 在谐振点附近,观察到样品的阻抗随磁场的增加由容抗性转变为感抗性,从而同时观察到巨大的正磁电容效应和负磁电容效应. 由复合材料的弹性力学本构方程出发,对该类样品的电容随频率及磁场的变化进行了理论模拟. 结果显示,模拟曲线与实验结果符合得很好. 理论表明该磁致伸缩/压电复合材料的磁电容效应源于磁场诱变的铁磁相柔顺系数. 关键词： 层状复合材料 界面弹性耦合 磁电容效应     

Zn,O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究

基于密度泛函理论(density functional theory),采用第一性原理平面波超软赝势法,研究了纤锌矿AlN,Zn掺杂和Zn,O共掺杂AlN的晶体结构、能带、电子态密度、差分电荷分布及电荷布居数.计算结果表明:Zn,O共掺杂方法中引入激活施主O原子,能使受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能带变宽、非局域化特征明显、从而提高了Zn原子的掺杂浓度和系统的稳定性.Zn,O共掺杂更有利于获得p型AlN. 关键词： 第一性原理 AlN 电子结构 p型共掺杂     

电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响

基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像. 以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率. 结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输. 关键词： 纵向射频场 次级电子倍增效应 蒙特卡罗方法 功率沉积     

TiO基态 (X 3 Δr) 的势能函数与光谱常数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了TiO分子基态(X³Δ_r)的离解极限.采用不同的计算方法,包括密度泛函B3LYP,B3P86,BP86,B3PW91和MP2,MP4方法,结合不同基组计算了TiO分子基态的平衡核间距、能量和振动频率.研究表明,使用B3LYP方法,对O原子使用6-311+G基组,Ti原子使用6-311+ +G^**基组时计算得到的平衡几何结构、分子离解能和谐振频率与实验值符合得最好.使用优选出的方法和基组对T 关键词： TiO 势能函数 光谱常数 密度泛函理论     

掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究

用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO₄单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO₄晶体的吸收边从345 nm红移到399 nm.在311 nm, 373 nm,808 nm和980 nm光的激发下,分别观测到中心波长为470 nm,528 nm,1078 nm和较弱的1504 nm四个不同发射带.Bi:CdWO₄单晶的XPS谱分别与Bi₂ 关键词： Bi离子 荧光光谱 X射线电子能谱 4单晶')" href="#">CdWO₄单晶     

相对运动动力学系统Appell方程Mei对称性导致的Mei守恒量

研究相对运动动力学系统Appell方程的Mei对称性及其直接导致的Mei守恒量.在群的无限小变换下,给出相对运动动力学系统Appell方程Mei对称性的定义和判据;得到相对运动动力学系统Appell方程Mei对称性的结构方程以及Mei对称性直接导致的Mei守恒量的表达式.举例说明结果的应用. 关键词： 相对运动动力学 Appell方程 Mei对称性 Mei守恒量     

一维介观环中持续电流的电子-声子相互作用非经典效应

基于声子相干态功效和计及声子压缩态非经典效应,研究了电子-磁振子和电子-声子相互作用对一维介观环持续电流的影响. 与自由环比较,由于电子-磁振子相互作用,持续电流的振幅呈现指数减小. 对于正常态电子,电子-声子相互作用导致持续电流以Debye-Waller(D-W)因子衰减.但是计入跳步电子-单声子相干态关联效应导致系统本征态能量大幅度下降,从而持续电流I_n有大幅度增加.另一方面计入双声子相干态行为,由于声子压缩态效应压缩电子-相干(态)声子弹性散射行为,导致电子绕环运 关键词： 持续电流 电子-声子相互作用 声子相干态 声子压缩态效应     

Controllable switching behavior of optical Tamm state based on nematic liquid crystal

The controllable behavior of optical Tamm state (OTS) is investigated in a heterostructure with nematic liquid crystal (NLC). By changing the external fields (electric field and temperature), the orientation of NLC’s molecules can be modified. It offers us an effective way to control the optical properties of the optical Tamm state. We obtain the critical condition for the appearance of the optical Tamm state. Our theoretical analysis and numerical simulations show that through choosing appropriate parameters we can not only change the frequency position of the optical Tamm state, but also realize the disappearance of the OTS.     

Graphite nanosheets doped with Fe, Ni, and N, synthesized in one step, and their unique magnetic performance

Graphite nanosheets (GNs) doped with N, Fe, or Ni were synthesized by pyrolysis of metal tetrapyridinoporphyrazine (MPTpz, M=Fe²⁺, and Ni²⁺) and a mixture of MPTpzs in a chemical vapor deposition furnace. The products obtained were characterized by scanning and transmission electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. The magnetic properties of the GNs obtained were investigated at room temperature using a vibrating sample magnetometer with an applied field of −10 000-10 000 Gs. The results show the GNs obtained are terrace-like and ultra-thin, with very high aspect ratio. Fe, Ni and N atoms have been doped to the GNs successfully. There are two types of N atom that are introduced into pure carbon systems: pyrinidic and graphitic N atoms. The GNs obtained exhibit ferromagnetic behavior at room temperature. Sample S1, obtained by pyrolysis of a mixture of MPTpzs (M=Fe²⁺ and Ni²⁺), have the highest coercivity force. The saturation magnetization (M_s), remanent magnetization (M_r), and coercivity (H_c) values of sample S1 are 24.51 emu g⁻¹, 3.95 emu g⁻¹, and 207.34 Gs, respectively.