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171.
苯并噻唑重氮氨基偶氮苯与汞(Ⅱ)的显色反应及其应用 总被引:26,自引:2,他引:24
报道了新试剂苯并噻唑重氮氨基偶氮苯的合成及其与汞(Ⅱ)的显色反应,在TritonX-100存在下弱碱性介质中,试剂与汞形成2:1的橙红色络合物,最大吸收波长位于520nm处,表观摩尔吸光系数为1.51×10^5L.mol^-1.cm^-1。汞量在0~1.2mg/L范围内遵守比尔定律,直接应用于废水中微量汞的测定,结果满意。 相似文献
172.
本文证明了d2k =δ2k =d2k ≥b2k,其中d2k ,δ2k , b2k分别表示A(BlMp)在lNq下的Kolmogorov,线性,Bernstein 2k-宽度,d2k 表示AT(BlN相似文献
173.
铝酸锶铕的合成与发光的研究 总被引:35,自引:2,他引:33
本文详细报导4(SrEu)O·7Al2O3.磷光体的合成及激活剂Eu2+离子浓度、硼酸、五氧化二磷等对磷光体发光强度,发射光谱和激发光谱的影响.讨论了不同Eu2+离子之间的能量传递.测量了不同Eu2+浓度下磷光体的荧光寿命和长余辉特性. 相似文献
174.
A BRANCH BOUND METHOD FOR SUBSET SUM PROBLEM 总被引:1,自引:0,他引:1
吴士泉 《应用数学学报(英文版)》1994,10(3):302-314
ABRANCHBOUNDMETHODFORSUBSETSUMPROBLEMWUSHIQUAN(吴士泉)(InstituteofAppliedMathematics,theChineseAcademyofSciences,Beijing100080,C... 相似文献
175.
Optical heterodyne magnetic rotation enhanced velocity modulation spectroscopy was employed to observe the visible absorption spectra of the B^2Σ^+_u-X^2Σ^+_g electronic transition of C^-_2. Four hot bands (0,1), (1,2), (2,3) and (3,4) have been observed and the band (3,4) is measured directly for the first time, so far as we know, by absorption. A rotational analysis was carried out to obtain molecular constants. With the Franck-Condon principle and the vibrational Boltzmann distribution, we have estimated the vibrational temperature of C^-_2 to be about 3000K. 相似文献
176.
177.
A novel copolymer, poly(N‐hexyl‐3,7‐phenothiazylene‐1,2‐ethenylene‐2,6‐pyridylene‐1,2‐ethenylene) ( P3 ), containing N‐hexyl‐3,7‐phenothiazylene and 2,6‐pyridylene chromophores was synthesized to investigate the effect of protonation, metal complexation, and chemical oxidation on its absorption and photoluminescence (PL). Poly(N‐hexyl‐3,8‐iminodibenzyl‐1,2‐ethenylene‐1,3‐phenylene‐1,2‐ethenylene) and poly(N‐hexyl‐3,7‐phenothiazylene‐1,2‐ethenylene‐1,3‐phenylene‐1,2‐ethenylene) ( P2 ), consisting of 1,3‐divinylbenzene alternated with N‐hexyl‐3,8‐iminodibenzyl and N‐hexyl‐3,7‐phenothiazylene, respectively, were also prepared for comparison. Electrochemical investigations revealed that P3 exhibited lower band gaps (2.34 eV) due to alternating donor and acceptor conjugated units (push–pull structure). The absorption and PL spectral variations of P3 were easily manipulated by protonation, metal chelation, and chemical oxidation. P3 displayed significant bathochromic shifts when protonated with trifluoroacetic acid in chloroform. The complexation of P3 with Fe3+ led to a significant absorption change and fluorescence quenching, and this implied the coordination of ferric ions with the 2,6‐pyridylene groups in the backbone. Moreover, both phenothiazylene‐containing P2 and P3 showed conspicuous PL quenching with a slight redshift when oxidized with NOBF4. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 1272–1284, 2004 相似文献
178.
Xun Fu Danmei Wu Xiaodong Zhou Huaqiang Shi Zhengshui Hu 《Journal of nanoparticle research》2007,9(4):675-681
Hollow spherical molybdenum disulfide has been successfully synthesized via a solvothermal method using Cyanex 301 as sulfur
source and modification agent. The hollow spheres are characterized by transmission electron microscopy, scanning electron
microscopy, X-ray diffraction and Energy-Dispersive X-ray analysis. The influences of reaction conditions are also discussed
while a mechanism is proposed to explain the formation of the peculiar morphology. 相似文献
179.
Bai-suo JIN~ 《中国科学A辑(英文版)》2007,50(9):1303-1315
In the factor analysis model with large cross-section and time-series dimensions,we pro- pose a new method to estimate the number of factors.Specially if the idiosyncratic terms satisfy a linear time series model,the estimators of the parameters can be obtained in the time series model. The theoretical properties of the estimators are also explored.A simulation study and an empirical analysis are conducted. 相似文献
180.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献