X射线探测器的脉冲标定技术

利用强流电子束技术产生通量密度为10¹⁸—10¹⁹X-ray photon/sr·s的脉冲CuKX射线源,标定PIN型硅二极管半导体探测器对X光子的脉冲灵敏度。用绝对X射线监测器——P10气体脉冲电离室作为脉冲X射线通量密度的标准。脉冲电荷自动测量仪由微处理机进行程序控制,并予以实时校准。该电离室测量通量密度的精度为±5％,适用的能通量率范围可达4×10^-9—2×10²W/cm²,适用的光子能量范围为1.5—10keV,标定探测器的精度为±7.0％,并发现PIN型硅二极管的脉冲灵敏度比稳态X射线束标定的灵敏度高30％左右。 关键词：     

二维颗粒膜超导电性

我们对二维排列的Sn颗粒膜进行了低温R-T特性研究。样品是在充有氧气的真空室内用热蒸发方法制备的。因为颗粒尺寸、颗粒分布和颗粒间距的随机性,使得颗粒之间的Josephson耦合和热激发电子的hopping过程的强弱,在不同的样品中不同,观测到的结果可以理解为以下三类:1)向零电阻的K-T转变;2)电阻极小转变;3)金属-绝缘转变。 关键词：     

MEASUREMENT OF LOW MAGNETIC FIELD DISTRIBUTION OF A β SPECTROMETER

The low magnetic field distribution of an iron-core double-focusing low-energy β spectrometer is measured with a second harmonic magnetic flux gate magnetometer, the relative measuring precision is better than ±0.05%. The field strength of the spectrometer is about 10G. This spectrometer is used to measure the β spectrum from tritium β decay for estimating the rest mass of electron antineutrion.     

金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

制备了Au-SiO_{2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系. 关键词：}     

硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究. 研究表明：等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH^*峰强度;硼烷的加入,使得SiH^*和Hα^*峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而I_{［Hα^*］关键词： 甚高频等离子增强化学气相沉积 等离子体 发光基团 空间分布}     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：     

CO2激光外差接收的实时强度成像

利用国内的元器件建立了声光调制CO_2激光外差接收系统,并进行了实验室内静止目标的实时强度成像,成像距离3m,成像视场7°× 5°,像素128×98,4个颜色梯度显示像强度.     

ICP-AES中基体干扰效应及其机理研究——Ⅰ.基体干扰效应的一般分布规律

本文以Na、ca、Al、Zn作为主要基体元素,在不同ICP发射光谱仪上考察了20多条分析谱线受到的干扰情况,初步总结了基体干扰效应的一般规律。结果表明,在常用分析条件下,一般金属元素具有与易电离元素类似的基体效应,即在较低观察区域对测定谱线信号产生增感,而在正常观察区域产生抑制;从增感转向抑制的零干扰点主要出现在感应圈上方8～14mm的观察区域,这一结果为实际分析条件的优化提供了有益的依据。     

制备XS(X=Ca,Sr)的一种优化工艺

本文利用一种新的制备工艺进行了XS(X=Ca,Sr)基质发光材料的合成;利用X-射线衍射等手段进行了反应效率、产物纯度、化学稳定性和材料的结晶学参数等研究实验结果表明,该方法比目前广泛采用的工艺具备更多优点。     

掺杂钾钠铌酸锶钡光折变晶体的各向异性衍射

本文给出了关于光折变晶体各向异性衍射的二波耦合方程,还给出了三种分别掺Cu,Ce,Co的钨青铜结构系列单晶(厚度为0.6—0.8cm)钾钠铌酸锶钡(KNSBN)在He-Ne激光(λ=6328?)照射下产生的光致光栅衍射实验结果。根据二波耦合理论,解释了这三种光析变晶体的衍射图样分布。根据波矢图的分析得出结论:对于不同性(正或负)单轴晶体,只能存在一种各向异性衍射的圆环图样(e→o衍射或o→e衍射)。理论分析与实验基本符合。 关键词：