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991.
考虑了有界光滑区域ΩR~d,d=2,3上的一类半线性双调和方程.非线性项φ(|▽u|)是由|▽u|~p产生的.应用Schaefer不动点定理证明了当d=2(或d=3),p满足2≤p〈∞(或2≤p≤6)时,该问题的解是存在的,并且解是局部唯一的. 相似文献
992.
复杂网络广泛存在于日常生活,首先,给出几类标准的网络模型;然后,利用稳定性控制方法设计并实现了具有时滞与非时滞耦合的复杂网络模型快速控制;最后,通过构造优化Lyapunov函数,讨论其模型的射影同步问题,得到了系统全局稳定的条件和有效的控制器,以实例数值验证其方法的可行性。 相似文献
993.
994.
995.
文章通过引进一类具有非零元素链的矩阵,利用α对角占优矩阵性质,给出了一个新的非奇H矩阵的充分条件,扩大了非奇H矩阵的判定范围. 相似文献
996.
论文考虑了Plate Contact问题的混合有限元逼近,其变分问题为第二类四阶椭圆变分不等问题.首先,根据正则化方法,得到原问题的正则化问题.再根据网格依赖范数技巧,考虑了正则化问题的Ciarlet-Raviart混合有限元逼近,并证明了真解与逼近解之间的误差估计.最后通过数值算例验证了理论分析的结果. 相似文献
997.
电化学氧化增强金属钴卟啉的自组装研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用电化学方法将钴(Ⅱ)卟啉氧化成钴(Ⅲ)卟啉以增强它与4-巯基吡啶(MP)自组装膜的轴向配位作用,从而快速制备了有序钴卟啉自组装修饰电极CoTMPP/MP/Au(E).电化学石英晶体微天平(EQCM)测试证实电化学氧化对钴卟啉膜生长过程的增强作用.Ram an光谱及修饰电极电催化还原氧研究显示,该修饰电极与经过长时间浸渍法得到的CoTMPP/MP/Au(I)修饰电极具有完全相似的有序结构和性质.与直接将钴卟啉吸附在电极表面的CoTMPP/Au修饰电极相比,以巯基吡啶为桥键得到的钴卟啉修饰电极具有更好的电催化活性和稳定性. 相似文献
998.
本文应用DTA及X射线衍射法在常压及高压下对一种含SiO2的锂离子导体玻璃0.3Li2O-0.67SiO2-0.03V2O5加热时的晶化行为进行了研究。该氧化物玻璃的晶化过程分两个阶段。在常压下,第一晶化过程发生在560 ℃附近,析出相为Li2O·2SiO2。对应的晶化温度Tx1随压力的升高发生了急剧的变化。从常压到0.3 GPa,Tx1从560 ℃升高到620 ℃;继续升压时Tx1突然下降,并在0.4 GPa处跌到528 ℃,呈现一个陡峭的峰值。0.4 GPa以上,Tx1随压力的变化则呈常规行为,比较平稳地,大致线性地升高,一直到最高测定压力2 GPa。 本文最后对这些行为的可能原因进行了讨论。 相似文献
999.
1000.