首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3691篇
  免费   513篇
  国内免费   376篇
化学   2687篇
晶体学   25篇
力学   184篇
综合类   35篇
数学   327篇
物理学   1322篇
  2024年   14篇
  2023年   84篇
  2022年   119篇
  2021年   107篇
  2020年   133篇
  2019年   138篇
  2018年   111篇
  2017年   111篇
  2016年   154篇
  2015年   154篇
  2014年   201篇
  2013年   268篇
  2012年   344篇
  2011年   362篇
  2010年   244篇
  2009年   210篇
  2008年   261篇
  2007年   221篇
  2006年   192篇
  2005年   153篇
  2004年   119篇
  2003年   91篇
  2002年   88篇
  2001年   85篇
  2000年   59篇
  1999年   65篇
  1998年   60篇
  1997年   59篇
  1996年   66篇
  1995年   73篇
  1994年   39篇
  1993年   25篇
  1992年   35篇
  1991年   30篇
  1990年   17篇
  1989年   16篇
  1988年   15篇
  1987年   6篇
  1986年   8篇
  1985年   11篇
  1984年   5篇
  1983年   4篇
  1982年   7篇
  1981年   7篇
  1980年   1篇
  1979年   4篇
  1974年   1篇
  1940年   1篇
  1902年   1篇
  1898年   1篇
排序方式: 共有4580条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
In this paper,the(2+1)-dimensional Hunter-Saxton equation is proposed and studied.It is shown that the(2+1)-dimensional Hunter–Saxton equation can be transformed to the Calogero–Bogoyavlenskii–Schiff equation by reciprocal transformations.Based on the Lax-pair of the Calogero–Bogoyavlenskii–Schiff equation,a non-isospectral Lax-pair of the(2+1)-dimensional Hunter–Saxton equation is derived.In addition,exact singular solutions with a finite number of corners are obtained.Furthermore,the(2+1)-dimensional μ-Hunter–Saxton equation is presented,and its exact peaked traveling wave solutions are derived.  相似文献   
22.
We propose a physical model based on disordered (a hole punched inside a material) monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) to demonstrate a large‐gap quantum valley Hall insulator. We find an emergence of bound states lying inside the bulk gap of the TMDs. They are strongly affected by spin–valley coupling, rest‐ and kinetic‐mass terms and the hole size. In addition, in the whole range of the hole size, at least two in‐gap bound states with opposite angular momentum, circulating around the edge of the hole, exist.Their topological insulator (TI) feature is analyzed by the Chern number, characterized by spacial distribution of their probabilities and confirmed by energy dispersion curves (energy vs. angular momentum). It not only sheds light on overcoming low‐temperature operating limitation of existing narrow‐gap TIs, but also opens an opportunity to realize valley‐ and spin‐qubits. (© 2016 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   
23.
The fragmentation of LiH2 - anions after electron impact was investigated at the heavy-ion storage ring TSR. The main reaction channel was found to be electron detachment followed by a breakup into LiH + H. In the first ms after production of the molecular ions in a cesium sputtering ion source, additional contributions were observed in the Li + H2 and Li- + H2 channels, hinting at an initial population of a short-lived state of the anion. To gain a better understanding of the mechanisms underlying the observed behavior of the system, ab initio calculations of relevant potential energy surfaces were performed at selected geometries. The experimental findings are discussed in the light of these calculations.  相似文献   
24.
针对航空公司对大量飞机发动机进行健康管理的需求,通过建立发动机健康管理云端数据中心,建立了一种云环境下的民航发动机健康管理系统,该系统对于验证发动机故障诊断方法的有效性具有突出优势,并且对于实现多种方法协同进行发动机故障诊断具有重要价值;提出了一种基于灰色关联分析的灰色故障识别方法,通过在云端平台使用灰色故障识别方法实现JT9D-7R4发动机的典型气路性能故障诊断为例,表明云环境下的发动机健康管理系统可以有效地进行航空发动机故障诊断。  相似文献   
25.
Von Neumann stability theory is applied to analyze the stability of a fully coupled implicit (FCI) scheme based on the lower-upper symmetric Gauss-Seidel (LU-SGS) method for inviscid chemical non-equilibrium flows. The FCI scheme shows excellent stability except the case of the flows involving strong recombination reactions, and can weaken or even eliminate the instability resulting from the stiffness problem, which occurs in the subsonic high-temperature region of the hypersonic flow field. In addition, when the full Jacobian of chemical source term is diagonalized, the stability of the FCI scheme relies heavily on the flow conditions. Especially in the case of high temperature and subsonic state, the CFL number satisfying the stability is very small. Moreover, we also consider the effect of the space step, and demonstrate that the stability of the FCI scheme with the diagonalized Jacobian can be improved by reducing the space step. Therefore, we propose an improved method on the grid distribution according to the flow conditions. Numerical tests validate sufficiently the foregoing analyses. Based on the improved grid, the CFL number can be quickly ramped up to large values for convergence acceleration.  相似文献   
26.
报道了对高斯型及指数型变耦合系数三波导耦合器的一些重要的全光开关特性进行的研究。利用四阶龙格一库塔方法对指数型和高斯型两类变耦合系数三波导耦合器进行了数值计算。数值计算结果表明:对于变耦合系数三波导耦合器而言,功率可在波导1与波导3之间100%转换,而波导2则不可能达到100%的功率输出。与双波导变耦合系数耦合器相比,在相同的最大耦合系数情况下三波导变耦合系数耦合器开关曲线要更陡一些.即具有更好的开关特性。与平行三波导耦合器相比,变耦合系数三波导耦合器作为光开关的最大优点在于开关曲线中不存在振荡。  相似文献   
27.
利用abinitio方法对SiH3+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6-311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,并在QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明,SiH3+O(3P)→IM1→TS3→IM2→TS8→HOSi+H2为主反应通道,其他可能存在的次要产物有HSiOH+H、H2SiO+H和HSiO+H2.HOSi、HSiO和HSiOH(cis)还可能进一步解离生成SiO.另外,计算结果对SiH4+O(3P)反应机理中存在的争议给出了可能的解释,认为Withnall等人在实验中观察到的产物HSiOH、H2SiO和SiO并不是SiH4+O(3P)反应的直接产物,而是来自副反应SiH3+O(3P).  相似文献   
28.
29.
ZnO一维纳米结构的形貌调控与亲疏水性研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
武祥  蔡伟  曲凤玉 《物理学报》2009,58(11):8044-8049
分别使用金属、半导体等类型的基片作沉积衬底,采用气相沉积的方法合成了多种ZnO一维纳米结构,如塔状结构、锥状结构、蘑菇状结构、环状结构等等.用扫描电镜,透射电镜等对合成产物的形貌和结构进行了研究,结果发现沉积衬底对合成产物形貌和结构有着重要的影响.同时对合成塔状纳米结构的生长机理做了系统地分析,并研究了其相应的亲疏水性能. 关键词: 纳米结构 气相沉积 形貌调控 结构表征  相似文献   
30.
The dynamical localization phenomena in two-electron quantum-dot shuttles driven by an ac field have been investigated and analyzed by the Floquet theory. The dynamical localization occurs near the anti-crossings in Floquet eigenenergy spectrum. The oscillation of the quantum-dot shuttles may increase the possibility of the dynamical localization. Especially, even if the two electrons are initialized in two neighbor dots, they can be localized there for appropriate intensity of the driven field. The studies may help the understanding of dynamical localization in electron shuttles and expand the application potential of nanoelectromechanical devices.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号