全文获取类型
收费全文 | 178757篇 |
免费 | 17768篇 |
国内免费 | 10432篇 |
专业分类
化学 | 93048篇 |
晶体学 | 1924篇 |
力学 | 13040篇 |
综合类 | 533篇 |
数学 | 42768篇 |
物理学 | 55644篇 |
出版年
2024年 | 369篇 |
2023年 | 2136篇 |
2022年 | 3644篇 |
2021年 | 4055篇 |
2020年 | 4248篇 |
2019年 | 4140篇 |
2018年 | 13046篇 |
2017年 | 12646篇 |
2016年 | 10744篇 |
2015年 | 5719篇 |
2014年 | 6294篇 |
2013年 | 8066篇 |
2012年 | 12938篇 |
2011年 | 19593篇 |
2010年 | 11683篇 |
2009年 | 11786篇 |
2008年 | 12763篇 |
2007年 | 14286篇 |
2006年 | 5669篇 |
2005年 | 5839篇 |
2004年 | 4841篇 |
2003年 | 4531篇 |
2002年 | 3371篇 |
2001年 | 2211篇 |
2000年 | 2044篇 |
1999年 | 2219篇 |
1998年 | 2034篇 |
1997年 | 1857篇 |
1996年 | 2080篇 |
1995年 | 1615篇 |
1994年 | 1533篇 |
1993年 | 1258篇 |
1992年 | 1121篇 |
1991年 | 1046篇 |
1990年 | 840篇 |
1989年 | 621篇 |
1988年 | 522篇 |
1987年 | 439篇 |
1986年 | 431篇 |
1985年 | 364篇 |
1984年 | 283篇 |
1983年 | 190篇 |
1982年 | 183篇 |
1981年 | 144篇 |
1980年 | 122篇 |
1979年 | 88篇 |
1978年 | 68篇 |
1976年 | 52篇 |
1974年 | 56篇 |
1973年 | 56篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运概率是相同的,但垂直端与水平端的输运概率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场,我们能获得丰富的电子输运结构,如台阶,宽谷,尖峰等;通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率.
关键词:
电子输运
介观体系
磁效应 相似文献
992.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离.
关键词:
Ar·NO团簇
同步辐射
光电离
能量转移 相似文献
993.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
994.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
995.
就一般非完整约束系统,从约束方程满足的变分恒等式出发,利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分,即非完整变分:vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分,并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程:vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较,得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件.
关键词:
非完整约束
非完整变分
Chetaev条件
vakonomic动力学 相似文献
996.
997.
998.
应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性.建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型,并得到了渐变界面特征矩阵的解析解,通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变DBR的反射谱和反射相移,分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响,对渐变DBR,需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件,并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度.
关键词:
DBR
反射谱
反射相移
特征矩阵法 相似文献
999.
1000.