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该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的113Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T1,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对113Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用. 相似文献
54.
Browder-Petryshyn 型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近方法 总被引:1,自引:0,他引:1
主要研究Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近过程,证明了Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的不动点集F(T)是闭凸集.在q-一致光滑且一致凸的Banach空间中,对于严格伪压缩映射T,利用徐洪坤在2004年引进的粘滞迭代得到的序列弱收敛于T的某个不动点.同时证明了Hilbert空间中Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的相应迭代序列强收敛到T的某个不动点,其结果推广与改进了徐洪坤2004年的相应结果. 相似文献
55.
The impact of fabrication errors on a planar waveguide demultiplexer is analyzed based on an analytical method. The explicit
expression of the transfer function taking into account phase and amplitude errors is presented in order to analyze the loss
and crosstalk of the demultiplexer caused by fabrication errors. A basic requirement for the demultiplexer with a certain
crosstalk criterion can be easily obtained. Using an etched diffraction grating demultiplexer as an example, it is shown that
the analytical results have a good agreement with results from a numerical method. 相似文献
56.
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58.
凸体的曲率映象与仿射表面积 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究了一些特殊凸体与其极体的曲率仿射表面积乘积的下界.对任意两个凸体,建立了它们的投影体的混合体积与其仿射表面积的一个不等式(见文[1-15]). 相似文献
59.
The dry etching characteristics of transparent and conductive indium-zinc oxide (IZO) films have been investigated using an inductively coupled high-density plasma. While the Cl2-based plasma mixture showed little enhancement over physical sputtering in a pure argon atmosphere, the CH4/H2/Ar chemistry produced an increase of the IZO etch rate. On the other hand, the surface morphology of IZO films after etching in Ar and Ar/Cl2 discharges is smooth, whereas that after etching in CH4/H2/Ar presents particle-like features resulting from the preferential desorption of In- and O-containing products. Etching in CH4/H2/Ar also produces formation of a Zn-rich surface layer, whose thickness (∼40 nm) is well-above the expected range of incident ions in the material (∼1 nm). Such alteration of the IZO layer after etching in CH4/H2/Ar plasmas is expected to have a significant impact on the transparent electrode properties in optoelectronic device fabrication. 相似文献
60.
A proposal is presented for teleporting Schrding-cat states. The process of the teleportation is achieved through the dispersive atom-cavity-field interaction. In this proposal, only measurement on the cavity field and on the singlet atomic states are used. 相似文献