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172.
173.
本文研究了DCEL器件在AC条件下,亮度、效率、有功电流、无功电流及损耗角正切与频率的关系.指出了发光区有效电场强度、发光区的宽度及电压分配系数等都是与频率有关的物理量.证明了有功电流和损耗角正切随频率的变化可分为两个区,在低于1kHz的低频区,有功电流和介质损耗分别以漏导电流和漏导损耗为主,可称为漏导电流区.在大于1kHz的高频区,有功电流中与各种松弛极化形式有关的吸收电流占主导且随频率增加较快.与其相关的,和各种极化有关的介质损耗急剧增加并超过漏导损耗而成为损耗的的主要成分,从而导致发光效率下降.这一区域可称为吸收电流区. 相似文献
174.
ZHANG Zhi-qian 《应用数学和力学(英文版)》2005,26(8):1064-1071
IntroductionAs one of the meshfree methods, multiple scale reproducing kernel particle method(RKPM)[1,2]bears, besides the common features of all meshfree methods, a uniqueinherent feature of multiresolution analysis by which the structural response can b… 相似文献
175.
The present paper discusses our investigation of InGaAs surface morphology annealed for different lengths of time.After annealing for 15 min,the ripening of InGaAs islands is completed.The real space scanning tunneling microscopy(STM) images show the evolution of InGaAs surface morphology.A half-terrace diffusion theoretical model based on thermodynamic theory is proposed to estimate the annealing time for obtaining flat morphology.The annealing time calculated by the proposed theory is in agreement with the experimental results. 相似文献
176.
177.
Sun Huibin Liu Yunzuo Zhou Jiewen Wu Yaodong 《Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei》1992,342(2):141-144
Theγ-rays emitted in theβ-decay of182Ta have been reinvestigated with improved statistics in attempting to clarify the reported new levels at 1460.41, 1592.98, 1620.36, 1712.29 and 1762.91 keV in182W observed in theβ-decay of182Ta. The present study demonstrated that the fifteen newγ-rays, which were used to support the existence of the five new levels, are not relevant to theγ-decay of182Ta. Therefore the five new levels are not populated in this decay. Additionally, theγ-ray with an energy of 1035.6 keV (0 2 + →2 1 + ) deexciting theβ-band head in182W is observed for the first time in the present decay study and the previous tentative placement of the 351.0 keVγ-ray in the level scheme is confirmed by the present coincidence measurements. 相似文献
178.
基于散射模型设计外遮光罩 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对粗糙表面散射情况的分析发现,普通金属材料的表面散射能量主要集中在10°散射角内。针对这种现象,提出了基于该散射特性的光学系统外遮光罩设计方法,该遮光罩的杂散光抑制角比基于反射理论计算的大5°,具有良好的散射杂散光的抑制作用。最后以Ritchey-Chirtien(R-C)光学系统为例,为其设计了合适的遮光罩,并在TracePro软件中对比性地建模、分析。结果证明了该模型的正确性,且该遮光罩对抑制杂散光起到了很好的效果,点源透射比(PST)相对较低。 相似文献
179.
基于经典方法优化了组合场中基频场和低频场的强度比,利用优化后的组合场驱动一维氦原子,通过求解含时薛定谔方程研究了氦原子产生的高次谐波,其截止位置得到扩展,再考虑基频场初相位对产生高次谐波的影响,能够得到脉宽为37as的单个阿秒脉冲. 相似文献
180.
Xin-Yuan Sun Yun-Zhi Zhou Xiao-Guang Yu Hao-Hong Chen Hong Wang Zhi-Jun Zhang Xin-Xin Yang Jing-Tai Zhao 《Applied physics. B, Lasers and optics》2013,110(1):27-34
The BaGd2?x O4:xDy3+ (0 ≤ x ≤ 0.08) phosphors were synthesized at 1,300 °C in air by the solid-state reaction route. The as-synthesized phosphors were characterized by X-ray powder diffraction, photoluminescence excitation spectra, photoluminescence (PL) spectra, X-ray excited luminescence (XEL) spectra, and thermoluminescence (TL) spectra. It is found that the quenching concentration of Dy3+ ions in BaGd2O4 host is dependent on the selected excitation wavelength. The optimal PL intensity for the investigated BaGd2?x O4:xDy3+ phosphors is found to be x = 0.01, 0.02, and 0.04, upon excitation by 234, 277, and 350 nm ultraviolet light, respectively. The energy transfer among Dy3+ ions upon excitation by 350 nm is confirmed to be an electric dipole–dipole interaction mechanism based on the fitting of Huang’s rule. In addition, the intensive XEL from BaGd2O4:Dy3+ phosphor is observed by the naked eyes at room temperature, and TL properties of the investigated phosphors are analyzed and discussed. All the results imply that the investigated phosphors could be a promising scintillating phosphor. 相似文献