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921.
Experimental investigations of a type-I noncollinear phase-matched optical parametric amplification based on lithium triborate, which was pumped by a 5-ns second-harmonic pulses from a Q-switched Nd:YAG, seeded by a cw Ti:sapphire laser at 800 nm, was presented. The experiments generated 2-ns signal output pulses at 800 nm, the maximum signal output pulse energy reached 19 μJ, the corresponding parametric gain was 44 dB. Furthermore, the experiments demonstrate that the 65 nm-FWHM parametric fluorescence gain spectrum could also be observed. A quantitative account of the ultrabroadband parametric fluorescence gain spectrum was given with our theory. The experimental measurements are in agreement with theoretical calculations.  相似文献   
922.
The convergence problem of the family of Euler-Halley methods is considered under the Lipschitz condition with the L-average, and a united convergence theory with its applications is presented.  相似文献   
923.
0.65Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.35PbTiO3 (PINT65/35) (starting composition) single crystals were grown successfully through the solution Bridgman technique using PbO flux and PMNT67/33 seed crystals. Because of the composition variation, the final composition of achievable crystals is in a range of 0.32-0.34 with the corresponding Tc range of 265-269 °C. The (001) plates of as-grown PINT66/34 single crystals show high Curie temperature (Tc=269 °C) and rhombohedral-tetragonal phase transition temperature (Trt=134 °C). Besides, good electrical properties with high dielectric constant (ε>3000), low dielectric loss (tan δ∼1.2%), high piezoelectric constant (d33∼2000 pC/N) and large electromechanical coupling factor (kt≈59%) at room temperature have been obtained on the (001) plates. The sound velocity, acoustic impedance and other piezoelectric parameters were also measured on the (001) plates in this study, which provide us more detailed information about PINT66/34 single crystals.  相似文献   
924.
The terminology ‘ID frequency’(w ID) is proposed after analyzing the 1D active photonic crystal based on the transfer matrix method. The relationship between wID and the structure parameters of the photonic crystal is investigated.  相似文献   
925.
利用各种分析手段对膨润土的物理特性进行了表征 .X射线衍射分析表明钠基膨润土呈典型的六方晶胞 ,晶胞参数是 :a轴 4 .913,c轴 5 .4 0 5 ;差热分析曲线在低温区和高温区有明显的吸热峰出现 ;元素分析钠、钾离子的含量大于钙、镁离子的含量 ,在性能上表现为钠质膨润土具有较强的离子交换能力 ;显微分析表明其表面呈皱隙状 ,测定比表面积高达 2 4 .5 2m2 /g;吸水率测定表明膨胀率大 ,说明它具有密封功能 ,可有效阻滞地下水的渗入 .利用SF6示踪技术 ,通过采集不同时间段取样池样品 ,分析样品中示踪气体浓度 ,绘制取样池示踪气体浓度随时间的变化关系曲线 ,根据费克扩散定律计算扩散系数 .实验结果表明 ,随着压实膨润土密度的增大 ,示踪气体扩散系数迅速减小 ,当密度大于 1.8g/cm3 时 ,扩散系数降至 10 -9m2 /s.研究结果表明 ,膨润土性能优化是通过在膨润土中添加适量的活性炭 ,可明显改善其对气体的阻滞能力 ;增加其对放射性气体滞留能力 ;添加少量的石英砂增加其机械性能、导热性和减少蠕变性 ,将引起对气体阻滞能力的下降 .综合考虑 ,在膨润土中各添加 5 %活性炭和石英砂 ,既对气体具有较好的滞留能力 ,又具有较好的工程特性 .  相似文献   
926.
在相对碰撞平动能为 0 .0 5eV的分子束实验条件下 ,研究了亚稳态CO(a) +NO(X)的E E传能通道 .通过测量和分析交碰区的传能发射光谱 ,在 780和 860nm处观测到了NO(b -a)跃迁Ogawa带的△v =+ 4和△v =+ 3序的发射光谱 .从而首次在实验上直接证实了传能过程中第四通道的存在 (CO (a) +NO(X)→CO (X) +NO(b) ) .这一通道的发现解释了前人测量到的在CO(a)与NO(X)碰撞传能过程中CO(a)的猝灭速率远大于NO(A ,B)生成速率的实验结果 ,并进一步证实了这一“经典”E E传能体系为电子交换机理的传能观点  相似文献   
927.
A series of 4,6-disubstituted pyrimidines were synthesized via Suzuki and Kumada coupling reaction of 4,6-dichloropyrimidine.  相似文献   
928.
1-Propyl-3-methylimidazolium chloride ([C3MIm]Cl) ionic liquid and sulfamic acid (NH2SO3H), as a synergetic catalytic medium, were used for the transesterification of acetoacetate with alcohols of different structures. It shows the good ability for the chemoselective transesterificatin of β-ketoesters and maintains its catalytic activity in the reuse.  相似文献   
929.
The fundamental relaxation result for Lipschitz differential inclusions is the Filippov-Wazewski Relaxation Theorem, which provides approximations of trajectories of a relaxed inclusion on finite intervals. A complementary result is presented, which provides approximations on infinite intervals, but does not guarantee that the approximation and the reference trajectory satisfy the same initial condition.

  相似文献   

930.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. 关键词: 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡  相似文献   
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