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102.
103.
104.
Phonons in nearly optimally doped HgBa(2)CuO(4+delta) were studied by inelastic x-ray scattering. The dispersion of the low-energy modes is well described by a shell model, while the Cu-O bond stretching mode at high energy shows strong softening towards the zone boundary, which deviates strongly from the model. This seems to be common in the hole-doped high-T(c) superconducting cuprates, and, based on this work, not related to a lattice distortion specific to each material.  相似文献   
105.
106.
107.
The transmission coefficient and the resonance condition in the one-dimensional rectangular double-, triple-, quadruple-, and quintuple-barrier structures are derived theoretically under the assumption of the constant tunneling effective mass. It is found that the resonance energies are different from the eigenvalues in the quantum well due to coupling between wells in the multiple-barrier (much more than triple-barrier) structures. It is confirmed that the transmission spectrum is a Lorentzian near to energies of resonance.  相似文献   
108.
Compensation of phase distortions of ultrasound beams by means of parametric phase conjugation is visualized. Quasi-plane and focused primary beams were distorted by a polymer aberration layer introduced between the primary wave source and the wave phase conjugator. It is demonstrated acousto-optically that, while the acoustic field is strongly irregular in the area between aberration layer and conjugator, the phase conjugate wave visibly reproduces the primary beams in the area between the layer and the primary wave source. The phenomenon is observed in supercritical mode of parametric amplification when intensity of phase conjugate wave is high enough for manifestations of acoustic nonlinearities in water.  相似文献   
109.
We fabricated InAs quantum dots (QDs) with a GaAsSb strain-reducing layer (SRL) on a GaAs(0 0 1) substrate. The wavelength of emission from InAs QD is shown to be controllable by changing the composition and thickness of the SRL. An increase in photoluminescence intensity with increasing compositions of Sb and thickness of the GaAsSb SRL is also seen. The efficiency of radiative recombination was improved under both conditions because the InAs/GaAsSb/GaAs hetero-interface band structure more effectively suppressed carrier escape from the InAs QDs.  相似文献   
110.
We study the electrical transport properties of well-contacted ballistic single-walled carbon nanotubes in a three-terminal configuration at low temperatures. We observe signatures of strong electron-electron interactions: the conductance exhibits bias-voltage-dependent amplitudes of quantum interference oscillation, and both the current noise and Fano factor manifest bias-voltage-dependent power-law scalings. We analyze our data within the Tomonaga-Luttinger liquid model using the nonequilibrium Keldysh formalism and find qualitative and quantitative agreement between experiment and theory.  相似文献   
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