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Thermal Rate Constants of the N(^4S)+O2(X^3∑g^-) → NO(X^2Ⅱ) +O(^3P) Reaction on the ^2A′ Potential Energy Surface 下载免费PDF全文
A quasiclassical trajectory study with the sixth-order explicit symplectic algorithm for the N(^4S)+O2(X^3∑g^-) → NO(X^2Ⅱ) +O(^3P) reaction has been reported by employing a new ground potential energy surface. We have discussed the influence of the relative translational energy, the vibrational and rotational levels of O2 molecules on the total reaction cross section. Thermal rate constants at temperatures 300, 600, and 1000 K determined in this work for the reaction are 4.4 × 10^7, 1.8 × 10^10, and 3.1 × 10^11 cm^3mol^-1s^-1, respectively. It is found that they are in better agreement with the experimental data than previous theoretical values. 相似文献
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第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
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通过光谱响应特性实验和记录/读出图像实验,研究了基因变异型细菌视紫红质(BRD96N)分子膜对单色光的光调制特性.发现BRD96N分子膜在550nm—600nm范围内对调制光有吸收增强的现象,且对此范围内不同波长的单色光其调制程度有差异.利用曲线拟和方法发现550nm—600nm吸收增强的变化过程分为快过程和慢过程,其对应的时间常数分别为30s和5min.利用强度调制器的吸收强度与图像灰度之间的关系,分析了560nm—600nm范围内出现图像反转的实验现象.
关键词:
细菌视紫红质D96N分子膜
光谱响应
吸收增强现象
图像反转现象 相似文献
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全固态多波长飞秒脉冲激光系统 总被引:1,自引:1,他引:0
利用棱镜对引进频谱空间啁啾来补偿飞秒脉冲激光二次谐波产生中的相位失配,提高了倍频效率建立了一套全固态、多波长(1065nm, 532nm,823.1nm, 402nm)飞秒脉冲激光系统自制的Nd:YVO4激光器输出532nm绿光激光,最高平均功率可达5.6W当用2.5W绿光激光泵浦时,从自制的钛宝石激光器及经BBO倍频可分别输出中心波长为823.1nm和402nm,平均功率300mW和73mW,谱宽32.3nm和5.1nm,脉宽22fs和33.3fs、重复率108MHz的近红外和蓝光激光整个系统具有结构紧凑、倍频效率高、运行稳定的特点. 相似文献
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This paper investigates mutual influence of duct and room acoustics in the whole fan-duct-plenum-room integrations. Applying the parametric design language of finite element software ANSYS (APDL), dimensional and positional influence on system acoustics has been studied. Models with different room dimensions, duct lengths, duct cross-sections, duct locations, duct discharges and duct elbow were constructed, and their characteristics were compared qualitatively. Results show that small rooms, short ducts, large duct cross-sections and bell mouth duct discharges help to increase room sound pressure levels (SPLs); SPLs in ducts and plenums are sensitive to duct dimensions and duct discharge types but insensitive to duct locations and room dimensions; duct elbows have relatively indistinct acoustic influence in each component. Based on the calculation results, a semi-experimental method was proposed for simply and approximately evaluating indoor acoustic spectra of fan-duct-plenum-room integrations, then an example was used to demonstrate the prediction process. Finally, by adopting several ideal models, sound field constitutions, duct and room wall admittances and duct end reflection were explored quantitatively. This study may give a detailed understanding of fan-duct-plenum-room acoustics for researchers, also it might provide a new, simple and approximate prediction method for professionals to evaluate and improve fan-ducted acoustics. 相似文献
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Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
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有界连通区域上Dirichlet空间及其算子 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要讨论了有界连通区域Dirichlet空间上Toeplitz算子的Fredholm性质,计算了符号在C1中的Toeplitz算子的本性谱和Fredholm指标. 相似文献
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