直流反应磁控溅射制备掺铟ZnO透明导电薄膜的研究

本文介绍了掺铟ZnO透明导电膜的制备工艺.并应用半导体物理理论分析了薄膜的导电机理,用Drude理论建立了物理模型,分析与计算了薄膜从可见到红外光波段的光学性能,结果表明,理论计算与实测值两者符合得较好.     

高精度绝对式光电轴角编码器

本文介绍高精度绝对式19-bit、21-bit光电轴角编码器的工作原理、具体结构、精度和可靠性等.采用移相电阻链细分和分段多次校正的方法对提高绝对式编码器的分辨率、精度和可靠性是有效的手段之一.检测结果:19-bit编码器的分辨率准确度σ=±0.6″ ,测角准确变σ=±1.2″;21-bit编码器的分辨率准确度σ=±0.2″,测角准确度,σ=±0.62″.其中,19-bit绝对式编码器早已用于光测设备中.     

Y2O3·Cr2O3复合氧化物热力学性质的研究

在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池:Mo|Cr,Y₂O₃,Y₂O₃·Cr₂O₃|ZrO₂(+MgO)|Cr,Cr₂O₃|Mo测定了复合氧化物Y₂O₃·Cr₂O₃的热力学性质。对于反应Y_{2关键词：}     

两指标B值强鞅空间的强原子分解

定义了两指标B值强鞅空间和强原子,利用Banach空间的光滑性建立了两指标B值强鞅空间s~∑α^p的强原子分解定理,应用强原子分解定理证明了一些两指标B值强鞅不等式.     

液相外延GaAs1-xPx混晶的光学声子、等离子体激元和LO声子-等离子体激元耦合模

在40—700cm^-1波数和4.2—300K温度范围内研究了不同组份液相外延n型CaAs_1-xP_x样品的红外反射谱。对反射谱进行了赝谐振子拟合与K-K关系计算。从而获得了有关描述CaAs_1-xP_x样品的光学声子模、等离子体激元、LO声子-等离子体激元耦合模的重要物理参量及红外光学常数信息。基于这些计算结果,提出了双导带谷并计及与X能谷相联系的施主能级模型,用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的耦合模的温度变化规律。 关键词：     

纹影技术在直喷式柴油机燃烧过程研究中的应用

本文叙述了作者所设计建立的高速纹影摄影光路系统,给出了利用该系统所拍摄的纹影照片,并通过照片简单分析了柴油机缸内的喷雾和燃烧过程。结果表明,纹影技术是研究发动机缸内空气运动和喷雾燃烧过程的有效手段。     

东南沿海景观格局及其生态风险演化研究——以宁波北仑区为例

以宁波北仑区1990,1995,2000,2005,2010,2015年6期LandsatTM/OLI遥感影像为数据源,提取景观格局数据,进行景观格局及其生态风险区时空演化特征分析.结果表明:(1)研究区的主要景观类型是林地与耕地,景观演化的主要特征表现为建设用地景观面积大量增加,耕地景观面积明显减少,区域景观破碎化愈加明显;(2)25a间,研究区内低生态风险区大量减少,而中、较高和高生态风险区面积大大增加;高生态风险区主要分布于北部平原地区,重心向西南方向移动,人类活动使山麓地带大量低生态风险区转变为较低生态风险区;(3)1990~2015年,研究区内由低等级转向高等级的生态风险区面积占研究区总面积的42.5%;前期以低生态风险区、较低生态风险区转向中生态风险区为主,后阶段以中生态风险区转向较高生态风险区、高生态风险区的比例有所增加;1990~1995年、2000~2005年、2010~2015年3个时间段生态风险转换面积较大.     

多个激活元件激光器振荡模体积的匹配

本文利用矩阵方法研究了由多根YAG:Nd棒串接的高功率连续激光器,这些激光棒的几何尺寸和热聚焦特性可以是不同的。通过电子计算机计算求得了描述激光器运转特性的参量(特别是振荡模体积匹配参量)随激光谐振腔几何结构和激光棒热焦距变化的函数关系。同时,对两根不同的YAG:Nd棒的串接振荡进行了实验研究,获得了与理论分析一致的结果。 关键词：     

铝粉点火微观机理的光谱研究

 铝粉是一种含能高的材料,它被广泛地添加到含能材料中。利用3台单色谱仪和OMA谱仪等多种谱仪技术,研究了铝粉在几种不同环境下的快速反应微观特性。研究表明：铝粉冲击波点火的临界条件和铝粉的物理状态相关。微米铝粉点火的临界温度为2 100 K,它接近Al₂O₃的熔化温度。它表明,在空气中容易氧化的微米铝粉点火,必须使铝粉表面的氧化层熔化。在气相反应中,微米铝粉和氧的反应是主要的;和水的反应是次要的。减小微米铝粉的颗粒尺寸,可以明显提高快速反应温度。 含铝复合燃料中的液体燃料反应后的铝粉才能参与反应;铝粉添加至气相反应介质后将明显提高反应温度。     

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。