氮离子轰击钼(111)表面及退火后形成的有序结构

用能量为一千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击钼(111)表面15分钟,在俄歇能谱中出现很强的氮的俄歇峰。从室温至450℃退火低能电子衍射观察表明,表面是无序层。样品加热到562℃左右观察到正方的低能衍射图,可以解释为氮、氧在钼(433)小面的c(3×1)结构。 关键词：     

微波辐射下三甲醇丙烷、季戊四醇与羧酸合成润滑油类羧酸酯

用三甲醇丙烷、季戊四醇分别与碳五至碳九的直链一元羧酸在微波辐射加热条件下合成润滑油类羧酸酯,并与常规合成进行了对照.结果表明:在微波辐射下反应时间大大缩短,合成速率提高到10～15倍,该法操作简单,产物用1H NMR,13C NMR和IR确定了结构.     

GBVE分布的参数估计

设二元随机变量（Ｘ，Ｙ）的生存函数为可．把它称作ＧＢＶＥ（θ１，θ２，δ）．本文采用把元件和系统（串联）的定时截尾寿命试验数据综合起来进行统计分析的方法，研究ＧＢＶＥ（θ１，θ２，δ）中参数的估计及其性质．在θ１＝θ２＝θ的情况下给出了（θ，δ）的极大似然估计证明了具有强相合性和渐近正态性．在无θ１＝θ２限制时给出了（θ１，θ２，δ）的矩法估计（θ１，θ２，θ３，δ），证明了同样具有强相合性和渐近正态性．     

大面积闪烁体探测器的中子探测效率刻度

介绍了一种利用同位素中子源(²⁴¹Am⁹Be)通过γn符合的中子飞行时间法对大面积探测器的中子探测效率进行刻度的方法,并用蒙特卡罗方法对该探测器的探测效率进行了模拟.实验与模拟结果基本一致.     

A THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF FREQUENCY REDSHIFT IN OPTICAL-FIELD-INDUCED FREEDERICKSZ TRANSITION IN A NEMATIC LIQUID CRYSTAL FILM

The frequency redshift in the optical-field-induced Freedericksz transition in a nematic liquid crystal film is investigated, We derive a theoretical expression for the frequency shift, and then measure the temporal evolution of the frequency shift and the light-intensity de-pendence of the maximum frequency shift. The theory agrees with the measurements.     

基于收益率修正分布的VaR估计

本文针对正态分布在拟合厚尾分布上的不足提出了两种修正方法——参数修正方法和非参数修正方法,经过实证分析我们发现经过修正的分布能更好地拟合厚尾分布,相应的VaR值的预测效果也更好,其中非参数修正得到的VaR预测效果最佳。     

非晶硒化镉和辉光放电非晶硅对锁模激光的瞬态响应

用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子的弛豫过程.     

非探针近场光学显微镜的成像实现

介绍一种非探针近场光学显微镜，并对它的图像实现过程及处理方法进行了讨论。该装置以阿达玛变换成像理论为基础，用纳米多孔编码板代替光纤探针获得了较高的光学信噪比。成像研究表明，该装置可对近场衰逝波分量进行有效探测并能实现超衍射极限成像，为近场光学探测研究提供了一种新的思路。     

半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱

本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10⁸cm^-3的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10⁷cm^-3;在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到 关键词：     

稀土元素在硅表面的化学吸附

本文对几种稀土元素(铈、钐、镱)在硅表面的化学吸附进行了理论计算。用定域密度泛函-离散变分方法(LDF-DVM)对顶位和三度开位两种集团模型进行了自洽计算,包括总结合能的计算,给出了吸附位能曲线,从而确定出最佳吸附构型和位置。讨论了电荷转移情况、吸附能的大小等,与一些实验结果进行了比较。并给出了三种元素在硅表面稳定吸附时的态密度图,分析讨论了其电子结构的差异和特点。 关键词：