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981.
高结晶聚丙烯一般采用高等规度聚丙烯加入成核剂制备。本文较全面地综述了制备高结晶度聚丙烯的催化剂体系及其制备技术。高等规度聚丙烯可以通过传统Ziegler-Natta聚丙烯催化剂与合适的外给电子体搭配制备,也可以通过选取具有合适结构的茂金属化合物制备。目前,聚丙烯工艺主要使用传统Ziegler-Natta催化剂。本文介绍了生产高结晶度聚丙烯的主要生产厂家、牌号和生产工艺,如Spheripol环管/气相工艺、Unipol气相工艺、Novolen气相工艺I、nnovene气相工艺、Hypol釜式本体工艺等,展望了高结晶度聚丙烯的应用前景,认为高结晶聚丙烯是PP新产品开发及高性能化的重要途径之一,具有非常广阔的市场前景,对于我国高结晶度聚丙烯牌号的开发具有较大的意义。  相似文献   
982.
以α-D-葡萄糖为起始物,用TEMPO/NaBr/NaClO体系催化氧化法合成α-D-葡萄糖醛酸。合成过程为:首先对α-D-葡萄糖上的C1位进行甲基化保护,然后用TEMPO/NaBr/NaClO体系对伯醇羟基进行催化氧化转化为羧基,最后脱甲基。对第三步稀盐酸水解法脱甲基的条件作了优化,分别水解15h、30h、45h、58h、65h,高效液相色谱(HPLC)结果显示,在水解58h时甲基葡萄糖醛酸钠基本水解完毕,葡萄糖醛酸水解得率最高,水解得率为64.9%。经过高效液相色谱提纯后的葡萄糖醛酸熔点为164.3~165.2℃(m.p.165℃),得率(基于α-D-葡萄糖)为45.2%。  相似文献   
983.
以甲基汞离子为模板,8-巯基喹啉为荧光单体,4-乙烯基吡啶为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,偶氮二异丁腈为引发剂,在二甲基亚砜溶剂中,以聚偏氟乙烯(PVDF)膜为支撑介质,65℃热引发聚合得到甲基汞离子荧光印迹膜。该荧光印迹膜对甲基汞离子表现出良好的选择性,最佳吸附pH值为7.0,检出限为3.5×10-7mol/L。将其作为吸附材料,应用于河水中甲基汞离子的分离和富集,结果表明,该传感器对甲基汞离子具有良好的选择性和特异性吸附,回收率达93%~104%。  相似文献   
984.
依据生物矿化的基本原理,以蛋清蛋白为基质,透析袋组成隔室,在仿生条件下,诱导碳酸钙的合成。扫描电子显微镜和红外测试结果表明,半透膜和蛋白质虽然直接影响碳酸钙的形貌,但在半透膜和蛋清蛋白调控下生成的碳酸钙均为球霰石型晶体。实验结果表明,半透膜的选择性透过功能不仅限制了蛋白质的自由移动,同时也限制了蛋白质和Ca2+配合物的自由移动,从而为制备特殊形貌的碳酸钙固体提供了基础。  相似文献   
985.
Uniform mesoporous zeolite ZSM‐5 crystals have been successfully fabricated through a simple hydrothermal synthetic method by utilizing ammonium‐modified chitosan and tetrapropylammonium hydroxide (TPAOH) as the meso‐ and microscale template, respectively. It was revealed that mesopores with diameters of 5–20 nm coexisted with microporous network within mesoporous ZSM‐5 crystals. Ammonium‐modified chitosan was demonstrated to serve as a mesoporogen, self‐assembling with the zeolite precursor through strong static interactions. As expected, the prepared mesoporous ZSM‐5 exhibited greatly enhanced catalytic activities compared with conventional ZSM‐5 and Al‐MCM‐41 in reactions involving bulky molecules, such as the Claisen–Schmidt condensation of 2‐hydroxyacetophenone with benzaldehyde and the esterification reaction of dodecanoic acid and 2‐ethylhexanol.  相似文献   
986.
程辉  姚江宏  曹亚安 《物理化学学报》2012,28(11):2632-2640
采用溶胶-凝胶法制备出In 表面修饰的TiO2 (TiO2-Inx%)纳米粒子, x%代表在In 掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量. 利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2''-联吡啶-4,4''-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂, 制备出N719/TiO2/FTO (氟掺杂锡氧化物)和N719/TiO2-Inx%/FTO染料敏化薄膜电极. 光电转换效率实验表明, 在薄膜电极+0.5 mol·L-1 LiI+0.05 mol·L-1 I2的三甲氧基丙腈(MPN)溶液+Pt 光电池体系中,N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率均高于N719/TiO2/FTO, 其中N719/TiO2-In0.1%/FTO的光电转换效率比N719/TiO2/FTO提高了20%. 利用X 射线衍射(XRD)、X 射线光电子能谱(XPS)、漫反射吸收光谱(DRS)、荧光(PL)光谱和表面光电流作用谱确定了TiO2-Inx%样品中In3+离子的存在方式和能带结构; 利用表面光电流作用谱研究了N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光致界面电荷转移过程. 结果表明, In3+离子在TiO2表面形成O-In-Cln (n=1, 2)物种, 该物种的表面态能级位于导带下0.3 eV处; 在光电流产生过程中, O-In-Cln (n=1, 2)表面态能级有效地抑制了光生载流子在TiO2-Inx%层的复合, 促进了阳极光电流的增加, 从而导致N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转化效率高于N719/TiO2/FTO, 并进一步讨论了光致界面电荷转移的机理.  相似文献   
987.
采用水热合成方法制备了花状In2O3纳米材料.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散X射线光谱(EDX)及透射电镜(TEM)对材料的结晶学特性及微结构进行了表征.制备的In2O3材料呈现花状,是由粒径约20nm的椭球状小颗粒构成的分级结构材料.将制备的In2O3与纳米CdO以摩尔比1:1混合后,发现制成的In2O3/CdO复合材料经热处理后呈现葡萄状多孔结构.测试In2O3/CdO复合材料制作的气敏元件处于最佳工作温度(410°C)时,对0.05×10-6(体积分数,φ)的甲醛气体表现出较高的灵敏度.对比测试发现,In2O3/CdO复合材料制作的气敏元件对不同浓度甲醛的灵敏度明显优于纯花状In2O3纳米材料.同时In2O3/CdO复合材料制作的气敏元件在乙醇、甲苯、丙酮、甲醇以及氨气等干扰气体中具有对甲醛良好的选择性.讨论了In2O3/CdO复合材料气敏元件的敏感机理.  相似文献   
988.
Within most real biological or social systems, age plays an important role in the vitality of individuals. For instance, individuals become more and more weak with age, while young individuals may prosper even under poor living conditions. In this paper, we find that aging as a coevolutionary process promotes cooperation more effectively than quenched heterogeneous distributions of age. By studying the average age of defectors and cooperators along the boundaries separating the domains of the two strategies, we reveal the significance of coevolutionary rules for the successful evolution of cooperation amongst selfish and unrelated individuals.  相似文献   
989.
Discrete NiSi nanocrystals were synthesized by rapid thermal oxygen annealing of very thin Si/Ni/Si films on a SiO2 tunneling layer. They were used to fabricate metal?Coxide?Csemiconductor capacitor memory. Electrical properties of the memory device such as programming, erasing and retention were characterized and good performance was achieved.  相似文献   
990.
采用基于第一性原理的全势能线性缀加平面波方法对闪锌矿结构MnSb和MnBi的电子结构进行自旋极化计算.闪锌矿结构MnSb和MnBi处于晶格平衡时都是半金属性的,并且它们自旋向下电子能带带隙分别是1.32 eV和1.27 eV.闪锌矿结构MnSb和MnBi的自旋总磁矩都为4.00μB/formula,总磁矩主要来源于Mn的原子磁矩,Sb和Bi的原子磁矩对总磁矩的贡献很小而且为负值,它们具有明显的铁磁性特征.使晶体晶格在±10%的范围内发生各向同性形变,对闪锌矿结构MnSb和MnBi的电子结构进行计算.计算结果表明,当晶格各向同性形变分别为-1%~10%和-4%~10%时,闪锌矿结构MnSb和MnBi仍然保持半金属铁磁性,并且总磁矩都稳定于4.00μs/formula.  相似文献   
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