离子色谱-电感耦合等离子体质谱联用测定不同形态碘元素

用离子色谱（IC）和电感耦合等离子体质谱（ICP—MS）联用测定了IO3^-和I^-．使用DIONEX IonPacAS14分离柱（4mm×250mm,9．0μm）和IonPacAG14保护柱（4mm×50mm,9．0μm）,通过改变淋洗液种类、浓度、pH值和流速等,确定了碘形态分析的最佳条件,并在此条件下进行了方法的线性范围、最低检出限和重现性的测试．用快速溶剂萃取和超声波两种方法处理海带样品,用浓度30mmol·L^-1的Na2S2O3作为淋洗液检测了海带中的IO3^-和I^-,在同样条件下测试了海水样品．实验证明该方法快速、灵敏度高、干扰小．     

含Kerr介质的二维光子晶体双稳态性质的模拟计算

基于Kerr介质与光场的相互作用的Tran理论模型,利用在非线性条件下的有限时域差分法(finite-difference time-domain,FDTD)数值模拟了含Kerr介质的方形与三角形晶格的非线性光子晶休光腔的共振频率及其双稳态特性.含多个Kerr缺陷的三角形结构的非线性光子晶体光腔能产生多个共振模式,这种结构随光强变化的透射光强能在更大范围内保持在高透射率的状态.具有这种双稳性质的光子晶体为全光网络的设计提供了参考.     

Rosochatius Deformed Soliton Hierarchy with Self-Consistent Sources

Integrable Rosochatius deformations of finite-dimensional integrable systems are generalized to the soliton hierarchy with self-consistent sources. The integrable Rosochatius deformations of the Kaup-Newell hierarchy with self-consistent sources, of the TD hierarchy with self-consistent sources, and of the Jaulent-Miodek hierarchy with self-consistent sources, together with their Lax representations are presented.     

水热法合成不同形貌的Bi_2S_3纳米结构

采用水热法在120 ℃反应12 h合成了不同形貌的Bi_2S_3纳米结构.利用XRD、SEM、TEM、HRTEM、SAED等分析方法对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明:反应原料对产物的形貌具有重要影响,合成温度取决于矿化剂的选取.讨论了不同形貌Bi_2S_3纳米结构的形成机制,并分析了Bi_2S_3纳米结构的机理.紫外-可见吸收光谱测量表明,相对于正交相Bi_2S_3块体材料而言,由于尺寸效应,所制备的纳米粉体的吸收谱都发生了明显的蓝移.     

良渚文化陶器功用的初步科学研究

良渚文化是中国重要的新石器时代晚期的文化遗存。对于良渚文化的某些陶器如加砂缸和鼎的功用,在学术界存在着不同的认识。运用能量色散X射线荧光探针技术,对取自良渚遗址的加砂缸及鼎的残片样品进行了线扫描,主要分析了Cl,Ca和P元素,以探讨这两种陶器的功用。结果表明,加砂缸底部的内侧与外侧在Cl元素的含量及其分布态势上均未出现异常,因此可以基本确定良渚文化的加砂缸并非用于制盐或存盐,至于加砂缸的真正用途,则还需更进一步的工作予以确认。而另一个器形鼎,则在Ca及P元素含量上表现出明显高于加砂缸以及其他同时期古代陶器的特征,且器物内侧的Ca及P元素含量明显高于外侧的,由此推断良渚文化的鼎属于煮器,且以烹煮肉类食物为主。     

掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究

采用水热法,以CoCl₂·6H₂O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明：水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀。由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响。     

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen.     

汶川地震地表破裂影响带调查与建筑场地避让宽度探讨

5.12汶川Ms8.0级地震沿龙门山中央断裂带形成长度约270km的地表破裂带,破裂带垂直和水平位移一般为1.0～5.0m,最大可达9.8m。在地表破裂带附近,建筑物破坏严重。笔者系统调查了龙门山中央断裂带地表破裂的垂直和水平位移以及地震地表破裂影响带宽度,并采用物探测试方法对部分影响带宽度进行了验证。统计结果表明,汶川地震地表破裂影响带宽度主要集中在16～60m,影响带宽度（D）与垂直位移（H）具有较好的线性关系,即D=10.11H+16.0。对于逆冲性质为主的地震地表破裂而言,上盘影响带宽度与下盘的比值一般为3：1～2：1,据此可确定地表破裂带上、下盘的避让带宽度。笔者根据现场调查并借鉴国外经验提出,上盘避让宽度下限一般不应低于15m,下盘避让宽度下限不应低于10m。本项研究对于汶川地震灾后重建场地选址具有重要的实际意义。
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对2008年一道高考化学题的实验研究——是对甲基苯酚还是邻甲基苯酚

2008年一道高考化学题曾引起过不小的争论。争论的焦点是,一种甲基苯酚,与溴水反应生成的一溴代物只有2种,它应该是对甲基苯酚还是邻甲基苯酚?为了解决上述问题,用GC/MS法进行了实验研究。结果表明：对甲基苯酚与溴水反应生成的一溴代物只能观察到1种,而邻甲基苯酚与溴水反应生成的一溴代物则能观察到2种,二者均未观察到生成羟基间位溴代产物。由此可得出结论,该化合物应该是邻甲基苯酚。     

利用积分方程法的各向异性地层频率测深三维模拟

应用一种新的积分方程算法对各向异性地层频率域电磁测深三维问题进行正演模拟.利用范数小于或等于1的修正Green算子得到各向异性地层中的新积分方程,由于满足压缩映射条件,该积分方程在任意参数条件下总是迭代收敛的.提出一种应用迭代法求解新积分方程的迭代初值优化选择方法,并通过具体算例对比说明该方法可使频率域电磁测深三维模拟的计算效率得到有效提高.最后应用所述算法对层状各向异性大地轴向频率测深视电阻率响应进行三维数值模拟,考察分析地层的各向异性对视电阻率响应特征的影响,得到一些重要结论.