An Artificially Garnet Crystal Materials Using In Terahertz Waveguide

A hypothesis is brought forward that the materials with low propagation loss in both optical and microwave band may exhibit good performance in terahertz （THz） band because THz wave band interspaces those two wave bands. For the purpose-of exploring a kind of low-loss material for THz waveguide, Lu2.1Bi0.9Fe5O12（LuBiIG） garnet films are prepared by liquid phase epitaxy （LPE） method on a gadolinium gallium garnet （GGG） substrate from lead-free flux because of the good properties in both optical and microwave bands. In microwave band, the ferromagnetic resonance （FMR） linewidth of the film 2△H = 2.8-5.1Oe; in optical band, the optical absorption coefficient is 600cm^-1 at visible range and about 100-170cm^-1 when the wavelength is longer than 800nm. In THz range, our hypothesis is well confirmed by a THz-TDS measurement which shows that the absorbance of the film for THz wave is 0.05-0.3 cm 1 and the minimum value appears at 2.3 THz. This artificial ferromagnetic material holds a great promise for magnetic field tunable THz devices such as waveguide, modulator or switch.     

Optical Defect in GaN-Based Laser Diodes Detected by Cathodoluminescence

GaN-based laser diodes （LDs） with 399 nm wavelength are grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition （MOCVD）. Electroluminescence spectra of the fabricated LDs show that the LDs from some grown wafers failed to emit laser. The SEM and XRD results show the similar surface morphology and interface qualities of multi quantum wells （MQWs） and super-lattices between LDs that succeed and fail to emit laser. However, the cathodoluminescence （CL） measurements reveal a kind of optical defect rather than structural defect in un-emitted LDs. Further depth-dependent CL imaging observation indicates that such optical defects originate from the MQWs to the surface of LDs as a non-irradiative recombination centre that should cause the failure of laser emitting of LDs.     

复合体系方法测量液体力学谱

本文介绍了采用复合体系，测量得到凝聚态物质从固态到液态连续变化力学谱的一种新的实验方法。以簧振动为例，给出了解析的计算公式，以及应用条件。通过进一步综合分析，得到具有更广应用范围的近似公式，可以近似应用于其他不同的振动模式，如低频扭摆。应用新的测量方法，给出了典型小分子玻璃材料甘油和碳酸丙稀从玻璃态到液态的力学谱，观察到甘油和碳酸丙稀玻璃化转变、碳酸丙稀的再结晶、熔化和挥发的过程；测量得到挥发过程中水的质量随时间精确变化的曲线。最后，本文给出了新方法的一些应用展望。     

NiTi合金中马氏体相的低频力学谱研究

我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内（0．003～1Hz）的低频等温力学谱和温度谱的测量．我们研究的形状记忆合金NiTi（Ni50．2at％）试样长34mm，直径1mm细丝．经一定热处理，分别在333K．343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明：频率越小，内耗越大，也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率（1Hz，0．1Hz，0．01Hz）的内耗，结果清楚地表明：不同频率下，内耗峰都出现在372K（99℃）。而且频率越低，峰高越高。这是具有相变峰的特点：相变峰的峰温不随测量频率不同而变化，相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0．5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。     

色散补偿和色散位移光纤实现光脉冲压缩

根据超短光脉冲在光纤中传输的非线性薛定谔方程，模拟了不同色散参量情况下色散补偿和色散位移光纤对增益开关半导体激光器产生的光脉冲的压缩，给出了光脉冲在经过色散补偿光纤前后的啁啾曲线。结果表明，使用色散参量D分别为-150，-180和-20ps/(nm·km)的色散补偿光纤可以实现其他脉冲压缩方法的压缩效果，最大压缩因子达到6.09，但色散参量越大，所需光纤长度就越短。此外，脉冲经过色散补偿光纤后线性啁啾几乎为零。还利用色散位移光纤对脉冲进行孤子压缩，脉冲宽度由最初的45ps减小到1.23ps。指出采用这2种光纤相结合的方法可以对光脉冲实现高效压缩。     

双频超声交替强化超临界流体萃取装置的设计与应用

本文针对超临界流体萃取（SFE）系统设备的特点，设计丁可用于强化SFE过程的双频超声波交替强化装置。以香椿叶中黄酮类化合物为提取对象，对超声强化USFE过程的影响因素及强化效果进行了实验研究，结果表明；低频超声利于提取，频率为20kHz的超声强化的萃取率最大，38kHz的超声最小，两者交替的居于中间。     

压差式矢量水听器方位估计中的干扰抵消

矢量水听器由于能获取声场中标量（声压）和矢量（振速）信息，因此单个的矢量水听器就可实现目标方位估计。单个矢量水听器是利用信号的声压和质点振速之间相关性进行信号方位估计，但是当存在干扰，并且干扰和信号之间相关时，如果对运用能量流进行方位估计的方法不加改进，则会出现很大的误差，甚至出现错误的估计。本文提出一种存在已知噪声干扰情况下的干扰抵消方法，并针对该方法进行了仿真试验，最后运用湖试数据进行了验证。结果表明，该方法能有效地减弱相千千柑对信号的影响，实现对信号的方位估计。     

铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究

主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层,波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带,干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示,一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。4H-SiC specimens were implanted with C-ions and then irradiated with Pb-ions, and subsequently annealed at three different temperatures. The samples were investigated by using Fourier transformation infrared spectrum（FTIR） and Rutherford backward scattering（RBS）. The obtained FTIR spectra showed that there is a buried amorphous layer close to the ion-incident surface and there are several interference fringes in the range from 960 to 1 450 cm ^-1. The intensity of fringes decreases with the increase of annealing temperature. The obtained RBS spectra showed that the yield of Si atoms in 4H-SiC crystal decreases in a well-defined depth region after annealing at 1 373 K.     

相干叠加态高次谐波发射的时间行为分析

本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论.     

溴氯甲烷分子最高占有轨道的电子动量谱学研究

本文首次报道了溴氯甲烷(CH2BrCl)分子在电子入射能为1200 eV 束缚能时价壳层的电离能谱和最高占有轨道的电子动量分布.实验结果与Hartree-Fock(HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算进行了比较,表明大基组的密度泛函理论与实验符合较好.