转动喇曼散射截面的群论计算

本文利用群链U(4)U(3)O(3)描述双原子分子N_2和O_2振转谱的对称性质,并利用群论方法计算了N_2和O_2分子转动喇曼散射的跃迁矩阵元,给出了它们的转动喇曼散射的截面。结果与实验较好地符合。     

既不离散也不连续的随机变量

讨论了既不离散也不连续的随机变量 ,并纠正了有关文献中关于连续型随机变量定义中的错误 .     

关于可达矩阵的求法探讨

在《离散数学》、《图论》课程中 ,用矩阵表示图时 ,涉及到一类重要的矩阵——可达矩阵 ,它是判别图中任意两点是否有通路的重要手段 ,也是求强分图的重要方法 ,但是可达矩阵的求法比较复杂 .本文针对这一问题 ,对可达矩阵的求法进行了改进 ,提出了一种简单可行的算法 .     

一类非牛顿渗流方程爆破界的估计

本文利用拟线性常微分方程解的非存在性定理得到了一类拟线性反应扩散方程(非牛顿渗流方程)爆破界的估计,从而推广了半线性反应扩散方程(牛顿渗流方程)相应结果.     

微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

艾滋病防治资源投入的效果分析

基于GOALS模型的基本思想,建立了效果分析模型,并针对两种不同的资金分配方案,模拟了两种方案对2006—2010年某地艾滋病流行的影响,并对模拟结果进行了分析.     

带有奇异项的临界增长p-Laplace方程的非平凡解

本文研究了一种带有奇异项的临界增长p-Laplace方程在N维空间中的有界集上非平凡解的问题,利用山路引理和集中紧性原理,得出方程在非线性项满足一定条件下有非平凡解的结果.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.