129I加速器质谱分析研究

通过对129I加速器质谱(AMS)分析中影响敏度和准确度各种参数的研究,如靶电极制备、压样、靶样中辅助介质（Matrix）的选择及使用比例等,优化了用于3 MV加速器质谱仪的SO-110型离子源的条件参数,确定129I-AMS测量的最佳靶电极材料为Cu,最佳的辅助介质为Nb粉末,Nb与AgI样品的最佳体积比为3∶1。在此条件下可以获得稳定且持续的I-束流进行测量129I/127I原子比值,实验测得西安加速器质谱仪的129I/127I本底值为1.5210-14。     

PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究

对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果. 关键词： 陷光结构 光散射能力 标量相干理论 硅基薄膜太阳电池     

恒虚警率采样粒子滤波技术及其应用研究

粒子滤波是一种基于蒙特卡洛思想的非线性、非高斯滤波器,其一般采用重要性采样进行粒子采样。但重要性采样容易出现粒子退化现象。解决粒子样本退化问题一般采用重采样。重采样虽然解决了样本的退化问题,同时又引入了采样贫瘠问题。本文根据海洋混响的统计特性和混响中目标的恒虚警率检测原理,提出了恒虚警率采样粒子滤波技术,恒虚警率采样粒子滤波技术使采样粒子尽可能集中在目标附近,有效地描述目标后验概率,降低了粒子数,减小了计算量。本文将此技术应用到海洋混响中的声纳目标跟踪中,既解决了传统卡尔曼滤波在声纳目标跟踪中的非线性、非高斯问题,又解决了粒子滤波的粒子退化及采样贫瘠问题。文中对高分辨率声纳目标数据进行了滤波跟踪,结果验证了本文方法的有效性。     

Studies on dissociation energies of diatomic molecules using vibrational spectroscopic constants

New analytical expression and numerical approach are suggested to calculate dissociation energies De of diatomic molecular states using an extreme value method (EVM). Studies on some electronic states of OH, BH, N2, Br2, ClF and CO molecules show that the accuracy of the EVM dissociation energies depends on the number of correct vibrational constants used in the calculations. The convergence qualities of De are suggested to be an alternative physical criterion to measure the qualities of the various sets of vibrational constants from different literature for the same diatomic state.     

Measurement of branching fractions for B-->eta(c)K(*) decays

We report measurements of branching fractions for charged and neutral B-->eta(c)K decays where the eta(c) meson is reconstructed in the K(0)(S)K+/-pi(-/+), K+K-pi(0), K(*0)K-pi(+), and pp; decay channels. The neutral B0 channel is a CP eigenstate and can be used to measure the CP violation parameter sin(2phi(1). We also report the first observation of the B0-->eta(c)K(*0) mode. The results are based on an analysis of 29.1 fb(-1) of data collected by the Belle detector at KEKB.     

Quadratic nonlinear response to 1.56-μm continuous wave laser in semi-insulating GaAs

The nonlinear photoresponse to a 1.56μm infrared continuous wave laser in semi-insulating （SI） galliu- marsenide （GaAs） is examined. The double-frequency absorption （DFA） is responsible for the nonlinear photoresponse based on the quadratic dependence of the photocurrent separately on the coupled optical power and bias voltage. The electric field-induced DFA remarkably affects the native DFA in SI GaAs. The surface electric field or the surface band-bending of SI GaAs significantly affects the magnitude variation of the Dhotocurrent and dark current     

非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%. 关键词： 非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面     

更正:质子束治疗中非均匀组织的等效水厚度修正研究[物理学报2013,62,068701]

《物理学报》2013年第62卷第6期第068701页《质子束治疗中非均匀组织的等效水厚度修正研究》一文中,因作者疏忽导致几处错误,特此更正,并诚挚地向读者致歉.期刊网上此文的电子版已做相应的更正.将3.1节中三个公式做如下更正:将(1)式:"WET=R介质/R水×b"改成:"WET=R水/R介质×b"将(2)式:"WET=R1/R水×d1+R2/R水×d2+···+Rn/R水×dn"改成:"WET=R水/R1×d1+R水/R2×d2+···+R水/Rn×dn"     

高氧空位浓度对金红石TiO2导电性能影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了 纯的和不同高氧空位浓度金红石型TiO_2-x (x=0, 0.083, 0.125, 0.167, 0.25)超胞的能带结构分布、态密度分布.同时, 采用局域密度近似+U方法调准了带隙.结果表明, 高氧空位浓度越高, 金红石型TiO₂的最小带隙越变窄、电子有效质量越减小, 自由电子浓度越高, 电子迁移率越低、电导率越低.计算结果与实验结果的变化趋势相符合. 关键词： 高氧空位 2')" href="#">金红石型TiO₂ 电导率 第一性原理