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971.
972.
It is proved that if M^n is an n-dimensional complete submanifold with parallel mean curvature vector and flat normal bundle in S^n+p(1), and if supM S 〈 α(n, H), where α(n,H)=n+n^3/2(n-1)H^2-n(n-2)/n(n-1)√n^2H^4+4(n-1)H^2,then M^n must be the totally urnbilical sphere S^n(1/√1+H^2).An example to show that the pinching constant α(n, H) appears optimal is given. 相似文献
973.
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 下载免费PDF全文
We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献
974.
975.
Zhu Ning 《高校应用数学学报(英文版)》1998,13(3):241-250
ANOTEONTHEBEHAVIOROFBLOW┐UPSOLUTIONSFORONE┐PHASESTEFANPROBLEMSZHUNINGAbstract.Inthispaper,thefolowingone-phaseStefanproblemis... 相似文献
976.
977.
Interconnect power and repeater area are important in the interconnect optimization of nanometer scale integrated circuits.Based on the RLC interconnect delay model,by wire sizing,wire spacing and adopting low-swing interconnect technology,this paper proposed a power-area optimization model considering delay and bandwidth constraints simultaneously.The optimized model is verified based on 65-nm and 90-nm complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) interconnect parameters.The verified results show that averages of 36% of interconnect power and 26% of repeater area can be saved under 65-nm CMOS process.The proposed model is especially suitable for the computer-aided design of nanometer scale systems-on-chip. 相似文献
978.
979.
980.
以水平方向距仪器1 000 m的卤钨灯为光源,通过同步对比实验探究了两台四孔大气相干长度仪的系统性能。实验结果表明,由它们测得的大气相干长度的大小和总体变化趋势能够较好吻合,相关性系数均在0.94以上,具有较好的一致性。在此基础上,进一步研究了Dome效应对该系统性能的影响。该效应的影响主要表现在使大气相干长度变小,其强度则由系统沿光路方向移动的距离决定。当移动距离小于15 cm时,Dome效应较弱,不会对实验结果产生明显影响;在距离从15 cm增至55 cm的过程中,其强度不断增加,并在55 cm处达到最强,此后则不再随距离的增加而变化。在整个实验过程中,实验结果的相关系数始终在0.9以上,即Dome效应对大气相干长度的总体变化趋势没有明显影响。 相似文献