用相位调制方法测量光盘盘基应力双折射的精度分析

偏振相位调制方法是测量微小双折射的一种高精度检测方法。本文系统全面地分析了以ＰＭＣＳＡ结构形式测量光盘盘基应力双折射的相位调制方法中，由各种误差源造成的对测试结果的影响。     

一种可实时化的多光谱图像融合系统

在多光谱摄影和光电成像技术基础上，本文提出了一种可实时化的多光谱图像融合系统。与多光谱摄影相比，不仅可实现多光谱实时化摄像，而且光谱响应进一步向近红外延伸，并引入图像处理技术。实验表明：这种技术对于增加系统的识别能力具有明显的作用，可进一步构成不同用途的新型多光谱图像融合系统。     

Structure and magnetic properties of nanocrystalline ferromagnets (II)

The role of magnetoelastic coupling effects in nanocrystalline ferromagnets is investigated by means of high-field magnetization and Doppler-broadening spectrum measurements. For the nanocrystalline Fe_{73 5}Cu₁Nb₃Si_13.5B₉ alloy, the results show that the pinning effects resulting from the quasidislocation dipole intensely influence the movement of domain wall; by coupling with the magnetostriction the defects-induced stress fields determine the magnetic properties at the early stage of crystallization. In view of the effective anisotropy and magnetoelastic coupling energy the optimal annealing conditions of alloys are discussed.     

羰基镍分析报警仪

羰基镍分析报警仪运用化学发光原理构成，不仅适用于羰基镍生产车间现场的检测和报警，也适于实验室的研究工作。检出限达0.037mg/m^3(0.5ppb），响应时间2min。     

最大无关组的判定定理及其它

本文给出了一个判定最大无关组的充要性定理及其证明．同时对用矩阵的行变换求最大无关组这一问题进行了点滴分析并介绍了一个解齐次线性方程组的简便方法。     

F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。     

Distances between oriented curves in geometric modeling

We consider the choice of a functional to measure the distance between two parametric curves. We identify properties of such a distance functional that are important for geometric design. Several popular definitions of distance are examined, and new functionals are presented which satisfy the desired properties. This revised version was published online in August 2006 with corrections to the Cover Date.     

一类非线性单调型方程的区域分裂法

本文考虑了一类非线性单调问题的加性Schwgrz交替法和异步平行算法,并得到了在能量模意义下的收敛性结果,最后还讨论了格式的有限元离散。     

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.