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991.
992.
用FDTD方法计算了二维正方晶胞各向异性碲圆柱光子晶体的点缺陷模.为了得到TE,TM模式在完全禁带中具有相同共振频率的缺陷模,对中心点缺陷半径Rd以及中心附近对称位置的点缺陷半径Rn做了一系列微调.计算表明,TM模对于Rn的变化不敏感,而TE模随着Rn的改变出现了明显的规则的移动趋势.通过计算分析,发现对应于f=0.4的背景(R=0.3568a),当Rd=0.55a,Rn=0.26a时在完全禁带中TE和TM的缺陷模具有相同的共振频率ω0=0.2466ωe(其中ωe=2πca,a为晶格常数)
关键词:
时域有限差分法
光子晶体
缺陷模
各向异性 相似文献
993.
994.
995.
996.
一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同.
关键词:
类耗散性
类混沌吸引子
类Ⅴ型阵发 相似文献
997.
998.
采用紫外光电子能谱,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯(OPCOT)在金属Ru(0001)表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用.位于费米能级以下43,69,93和114eV处的4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH和σHH轨道,位于30eV处的谱峰反映了8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键.OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下25eV处,OPCOT材料在Ru(0001)表面上的功函数为395eV.150℃以下,OPCOT材料可以在Ru(0001)表面稳定存在.随温度的升高,OPCOT材料主要以脱附的形式减少
关键词:
八芳基环辛四烯
光电子能谱
价电子结构
脱附 相似文献
999.
本文提出了软X射线条纹相机与吸收膜相耦合测量等离子体温度的实验原理与方法,编制了数值计算程序SCC,给出了平面金靶在1.06μm激光(LF—II~=激光装置)作用下,靶面功率密度约10~(14)W/cm~2的辐射温度。并对温度处理中存在的误差,以及把此方法推广到能谱的时间分辨和温度的空间分辨测量中的可能性进行了讨论。 相似文献
1000.
Xiangwei Shen Jinhui Yuan Xinzhu Sang Chongxiu Yu Zhongchao Wu Xiaoliang He Lan Rao Min Xia Wenzhi Liu 《Optik》2014
Gain and Noise figure (NF) characteristics in dual-pump parametric amplifier based on silicon on insulator (SOI) Rib waveguides are numerically investigated in the presence of nonlinear losses. The impact of structure parameters of the silicon optical parametric amplifiers (SOPAs) on the gain and the NF are also analyzed. The results show that both the height and the width of the silicon on insulator (SOI) can affect the gain and the NF of SOPAs. 354 nm bandwidth (3 dB) and 8.135 maximum gain can be achieved by tailoring the structure parameters of the SOI rib waveguides. Moreover, the dispersion and the effective mode area of SOI are also analyzed. 相似文献