量子点场效应单光子探测器二维电子气载流子浓度研究

设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定谔方程和泊松方程,通过对薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,对2DEG的载流子浓度进行了模拟。模拟结果显示,AlGaAs的Al组分、δ掺杂层的掺杂浓度以及隔离层的厚度对于2DEG的载流子浓度均有影响。为了使2DEG具有较高的载流子浓度,AlGaAs的Al组分应为0.2~0.4,δ掺杂浓度应为6~8×10~(13)/cm~2,隔离层厚度应在50nm以下。通过对2DEG的载流子浓度进行研究,可以掌握2DEG载流子浓度的影响因素,从而通过优化QDFET结构,可提高2DEG的载流子浓度。这对于高灵敏度QDFET的制备具有重要的意义和应用价值。     

光电经纬仪机电一体化耦合特性

区别于传统刚体控制模型,将结构动态设计方法与控制理论相结合,构建了光电经纬仪的柔性机电耦合控制模型,分析了该模型的结构基频、阻尼比等机械因素与控制带宽的耦合关系,并提出了光电经纬仪动态量化设计准则.实验表明:光电经纬仪结构谐振频率ω_n应尽可能地远大于系统谐振频率ω_r,至少满足ω_n≥3ω_r.该方法有效可行,可解决高精度大型经纬仪机电谐振问题,为设计快速响应、高跟踪精度的光电经纬仪提供了工程依据.     

关于磁介质的抗磁性机理

本文从物理磁性的基本起源“分子电流”出发,通过分析电子在外磁场中的旋进,严格分析了磁介质的抗磁性的微观机理。     

描述大形变核中对力的硬核Bose-Hubbard模型

讨论了一种描述大形变偶偶核邻近轨道对力相互作用近似的硬核Ｂｏｓｅ－Ｈｕｂｂａｒｄ模型．利用代数方法得到了该模型对激发谱和相应波函数的严格解．该结果可推广到具有任意自旋和有限格点的硬核Ｂｏｓｅ－Ｈｕｂｂａｒｄ和Ｆｅｒｍｉ－Ｈｕｂ－ｂａｒｄ模型中去．     

间接原子吸收光谱法测定水样中的痕量硼

本文研究了四氟硼酸根与邻二氮菲银形成的络合物由MIBK萃取后,用火焰原子吸收光谱法间接测定硼,其线性范围为0.002-1μg/mL,检出限为0.41μg/mL,回收率为93%-101%,且K^ 、Na^ 等10个种离子不干扰测定,本方法用于地下水中痕量硼的测定,结果令人满意。     

利用半周期激光场调控H_2~+谐波辐射过程

采用数值求解核与电子耦合的薛定谔方程,对H_2~+分子谐波辐射调控进行了研究.计算结果表明,激光场正向时,谐波能量主要来源于负向H核贡献;激光场负向时,谐波能量主要来源于正向H核.随后,通过适当引入半周期激光场,可以有效调节正负H核辐射谐波的强度.最后,适当叠加谐波谱上的谐波,可获得一个46 as的脉冲.该研究对调控分子谐波的辐射过程及阿秒脉冲的输出是有帮助的.     

电荷共振增强电离和离解电离在H~+_2谐波辐射中的贡献

理论研究了电荷共振增强电离和离解电离在H~+_2谐波辐射中的贡献.结果表明:在少周期激光场下,谐波辐射只由电荷共振增强电离贡献产生,谐波光谱呈规则的奇次谐波.在多周期激光场下,谐波辐射由电荷共振增强电离和离解电离共同贡献产生,但是电荷共振增强电离在谐波辐射中起主要作用.并且低阶谐波呈现偶次谐波.最后,通过分析含时核运动,电离几率以及谐波辐射时频分析图解释了少周期和多周期激光场驱动H~+_2辐射谐波的过程.     

变延迟进动定制激发(DANTE)序列在工程中的优化设计

变延迟进动定制激发（Delays Alternating with Nutation for Tailored Excitation,DANTE）序列作为一种黑血预脉冲序列,通过连续施加小角度激发脉冲,以及结合散相梯度,使得流动物质和静态物质达到不同的稳态,从而抑制流动的血液.对于静态物质而言,施加DANTE序列后在图像等间隔的位置会出现暗条纹,暗条纹的宽度与梯度幅值和小单元持续时间乘积相关：乘积越大,暗纹宽度越小.对于动态物质而言,为达到较好的抑制效果,需要增加整个DANTE序列模块的准备时间,并且增大梯度幅值和小单元持续时间的乘积.因此,该方法对于梯度系统的要求较高,而实际梯度放大器（Gradient Amplifier,GPA）有一定的限额.在有限的GPA条件下,为使得DANTE序列具有更好抑制流动信号效果,本文在读出方向以及片层旋转两个方面进行了梯度优化,实现了更好的黑血效果.     

Electronic structures,magnetic properties and band alignments of 3d transition metal atoms doped monolayer MoS2

Utilizing first-principles calculations, the electronic structures, magnetic properties and band alignments of monolayer MoS₂ doped by 3d transition metal atoms have been investigated. It is found that in V, Cr, Mn, Fe-doped monolayers, the nearest neighboring S atoms (S_NN) are antiferromagnetically polarized with the doped atoms. While in Co, Ni, Cu, Zn-doped systems, the S_NN are ferromagnetically coupled with the doped atoms. Moreover, the nearest neighboring Mo atoms also demonstrate spin polarization. Compared with pristine monolayer MoS₂, little change is found for the band edges' positions in the doped systems. The Fermi level is located in the spin-polarized impurity bands, implying a half-metallic state. These results provide fundamental insights for doped monolayer MoS₂ applying in spintronic, optoelectronic and electronic devices.     

USING RANDOM PROPORTIONAL PULSE FEEDBACK OF SYSTEM VARIABLES TO CONTROL CHAOS AND HYPERCHAOS

A method that allows one to control chaotic and hyperchaotic systems by a random proportional pulse feedback of system variables is proposed. This method is illustrated with the Rossler chaotic and the complex Lorenz-Harken hyperchaotic systems, and a better control result is obtained. The advantage of this method is that just one perturbed system variable is enough to obtain a stabilized periodic orbit.