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141.
142.
设计了3套针对“神光-Ⅱ”倍频激光直接驱动的透镜阵列均匀辐照系统,并对冲击波的平面性进行了实验研究。结果表明,冲击波的平面性与透镜阵列参数、平面靶厚度、靶面位置等有关,采用列阵元数为121的透镜阵列进行激光束匀滑驱动的冲击波平面性最好,间接说明它在靶面的激光辐照是最均匀的;另外,随着靶厚的增加,冲击波平面性变差,平面区变小;而且冲击波平面性随靶面离焦位置的变化成一定的周期性变化,第2套透镜阵列焦点处的冲击波平面性最好。 相似文献
143.
采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度 有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 :根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,6 00cm-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因.
关键词:
单晶硅
晶格常数
金属—绝缘体转变温度
应力诱导 相似文献
144.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
145.
146.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
147.
利用一类周期性变系数线性常微分方程解的基本矩阵的Jordan形,分析一类非线性相对转动系统扭转的运动稳定性,从而得到非线性相对转动周期系统的运动稳定准则. 运用Lyapunov函数法,对广泛存在的一类机械传动系统的相对转动运动的平衡稳定位置的稳定域进行研究,并给出数学解析表达式. 这为工程中广泛存在的这类机械传动系统稳定工作区间工作参数的选取和相似模拟提供了理论依据及方法,据此可进一步分析和评价大型复杂旋转机械主传动系统的扭振稳定性.
关键词:
相对转动
相似模拟
运动稳定
平衡稳定 相似文献
148.
149.
Parikh最近将黑洞辐射视为半经典的隧穿过程,在考虑了自引力相互作用后,得出静态球对称Schwarzschild和Reissner-Nordstrm黑洞的辐射谱不是纯热谱.采用Doran给出的Kerr黑洞解的新形式,将Parikh的工作推广到Kerr黑洞,研究转动黑洞的隧穿辐射,得到了修正的辐射谱,它与黑洞的Bekenstein-Hawking熵变有关,不是纯热谱,但满足量子力学中的幺正性原理.
关键词:
Kerr黑洞
隧穿辐射
自引力修正
Bekenstein-Hawking熵 相似文献
150.
Wang X. Yang S. Wang J. Li M. Jiang X. Du G. Liu X. Chang R.P.H. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(9):883-891
High quality ZnO film was deposited by plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). We observed a dominant peak at 34.6° due to (0 0 2) ZnO, which indicated that the growth of ZnO film was strongly C-oriented. The full-width at half-maximum (FWHM) of the -rocking curve was 0.56° indicating relatively small mosaicity. Photoluminescence (PL) measurement was performed at both room temperature and low temperature. Ultraviolet (UV) emission at 3.30 eV was found with high intensity at room temperature while the deep level transition was weakly observed at 2.513 eV. The ratio of the intensity of UV emission to that of deep level emission was as high as 193, which implied high quality of ZnO film. From PL spectrum at 10 K, we observed A-exciton emission at 3.377 eV and D°X bound exciton transition at 3.370 eV. The donor–acceptor transition and LO phonon replicas were observed at 3.333 and 3.241 eV respectively. Raman scattering was performed in back scattering at room temperature. The E2, A1(LO) and A1(TO) mode was seen at 437.6, 575.8 and 380 cm–1 respectively. In comparison with Raman spectrum of ZnO powder, we found that ZnO film was nearly free of strain, which indicated high crystal quality. 相似文献