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We have experimentally investigated pump-to-Stokes intensity noise transfer in both the frequency domain and the time domain in all-fiber single-frequency Brillouin ring lasers. In the high-frequency region (>1MHz), the pump-to-Stokes noise transfer function can be much smaller than unity, indicating that the Brillouin fiber lasers act as an efficient low-pass filter. The maximum noise reduction of 40-60 dB was observed at antiresonant frequencies that are multiples of half the cavity free spectral range. This is the first experimental demonstration, to the authors' knowledge, of intensity noise reduction in Brillouin fiber lasers. 相似文献
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交叉型波荡器是一种实现软X射线自由电子激光极化控制的有效方式。以自放大自发辐射自由光电子激光为例,采用统计的方法系统地分析了交叉型波荡器软X射线自由电子激光极化控制的影响因素。通过对光场相干长度、光脉冲两分量之间相对滑移长度和光场分量平均功率差异等的分析,给出了优化交叉型波荡器极化控制方案遵循的原则,即:辐射场相干时间尽可能长,光场分量相对滑移长度尽可能短,辐射场分量功率差异尽可能小等。该原则为交叉型波荡器软X射线自由电子激光极化控制方案的优化提供了依据。 相似文献
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为了使受激布里渊散射(SBS)光限幅器的输出能量更"平",提出了一种基于SBS光限幅和金属酞菁光限幅相结合的复合型光限幅器的方案,即SBS光限幅后边放置金属酞菁光限幅,在两种光限幅器的共同限幅作用下,使复合型光限幅器的输出光能量更"平". 数值模拟了该复合型光限幅器的输出光能量随入射光强度的变化曲线,并在Countinuum's Nd: YAG种子注入式激光器中进行了实验验证. 理论和实验结果均表明,复合型光限幅器的输出光能量比单独SBS光限幅器更"平".
关键词:
复合型光限幅器
SBS光限幅
金属酞菁限幅 相似文献
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有效利用电子束在波荡器中运动时产生的谐波辐射,是获得更短波长辐射最直接的方法之一。提高波荡器磁场的谐波分量可以提高电子束的谐波辐射光场强度。分析了一种改进Halbach型波荡器结构,计算了其磁场的构成,分析表明这种结构可以使磁场的三次谐波分量提高至基波分量的25%左右。以合肥光源的电子束参数为例,计算了波荡器磁场谐波分量增强后对电子束自发辐射谱的影响。计算结果表明,波荡器磁场谐波分量增强至25%时,可以使电子束自发辐射的三次谐波辐射增强至基波辐射光子通量的67%左右。 相似文献
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Fangfang Luo Geng Lin Haiyi Sun Li Liu Qingxi Chen Jianrong Qiu Zhizhan Xu 《Optics Communications》2011,284(19):4592-4595
Permanent microscale bubbles with varied size and number density are induced in borosilicate glasses by adjusting the focusing depth (FD) of a tightly focused femtosecond laser. With continuously increasing of the focusing depth, the average size of generated bubbles experiences an increase-decrease process. However, the number density of generated bubbles experiences an opposite changing process compared to the change of the size. The possible mechanism for the bubble generation and changing with the focusing depth has been discussed. 相似文献
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Fabrication of high growth rate solar-cell-quality μc-Si:H thin films by VHF-PECVD 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Several series of Si:H films were fabricated by the very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition (VHF-PECVD) at different substrate temperatures (T_s) and silane concentration (SC=[SiH_4]/[SiH_4+H_2]%). The results of Raman spectroscopy showed structural evolution of the Si:H films with the variation of T_s and SC. The results of x-ray diffraction (XRD) measurements indicated that T_s also influences the crystal orientation of the Si:H films. The modulation effect of T_s on crystalline volume fraction (X_c) is more evident for the high SC, which shows different trend compared to low SC. In addition, the growth rate of the films also showed a regular change with the variation of SC and T_s. Different samples in the series showed a similar increase in dark conductivity and a decrease in photosensitivity with increasing T_s and decreasing SC. Device-quality microcrystalline silicon materials were deposited at a high growth rate, characterized by relatively low dark conductivity and relatively high photosensitivity in a certain crystalline range. The microcrystalline silicon solar cell with a conversion efficiency of 4.55% has been prepared by VHF-PECVD. 相似文献