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41.
钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
检测W(Ⅵ)对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W(Ⅵ)的富集手段,检测方法概况作一综述,其中包括,荧光光谱法,分光光度法,原子发射光谱法,质谱法,动力学方法,极普法,化学发光法,中子活化分析及联用技术等。 相似文献
42.
43.
The structural stability of heat-treated CoN/CN soft X-ray multilayers fabricated by dual-facing-target sputtering has been investigated by using complementary measurement techniques. The high temperature annealing results imply that the destructive threshold of the Co/C multilayers is improved by 100–200 degrees centigrade through doping with N. The low-angle X-ray diffraction of CoN/CN soft X-ray multilayers indicates that the period expansion of the multilayers is only 4 % at 400°C, and the interface pattern still exists even if they were annealed at 700°C. The Raman spectra analyses give the evidence that the formation of the sp3 bonding in the CN sublayers can be suppressed effectively by doping N with atoms, and thus the period expansion resulting from the changes in the density of CN layers can be decreased considerably. The X-ray photoelectron spectra analyses present the information of the existence of the strong covalent bonding betweenC andN atoms, and the ionic bonding between Co and N atoms, which can slow down the tendency of the structural relaxation. The interstitial N atoms decrease the mobility of Co atoms, and thus the fcc-Co and hcp-Co coexist even though the annealing temperature is much higher than the phase transformation temperature of 420°C, leading to the suppression of the grain growth. 相似文献
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45.
全固态多波长飞秒脉冲激光系统 总被引:1,自引:1,他引:0
利用棱镜对引进频谱空间啁啾来补偿飞秒脉冲激光二次谐波产生中的相位失配,提高了倍频效率建立了一套全固态、多波长(1065nm, 532nm,823.1nm, 402nm)飞秒脉冲激光系统自制的Nd:YVO4激光器输出532nm绿光激光,最高平均功率可达5.6W当用2.5W绿光激光泵浦时,从自制的钛宝石激光器及经BBO倍频可分别输出中心波长为823.1nm和402nm,平均功率300mW和73mW,谱宽32.3nm和5.1nm,脉宽22fs和33.3fs、重复率108MHz的近红外和蓝光激光整个系统具有结构紧凑、倍频效率高、运行稳定的特点. 相似文献
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47.
48.
从D触发器激励表入手,分别给出了采用单边沿D触发器和双边沿D触发器的2^n进制异步加法计数器、减法计数器的设计方法.在此基础上,采用逻辑函数修改技术,通过实例讨论了基于单边沿D触发器和双边沿D触发器的异步任意进制计数器的设计.该设计方法方便,快速,具有一定的实用意义. 相似文献
49.
Y.-Q. Peng J.-H. Yang F.-P. Lu Q.-S. Yang H.-W. Xing X.-S. Li C.-A. Song 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2007,86(2):225-229
Based on the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation in chemically doped organic semiconductor are developed, by approximation of Coulomb traps with a rectangle potential well. Numerical calculations show that traditional Einstein relations do not hold for chemically doped organic semiconductors. Similar to physical doping, the dependence of diffusion coefficient to mobility D/μ ratio on the carrier concentration has a maximum. An essential difference between chemical doping and physical doping is that, the D/μ ratio in chemically doped organic semiconductors depends not only on carrier concentration and doping concentration, but also on the applied electric field. PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h 相似文献
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