基于Rayleigh-Bloch模式的单层结构弯曲声波导

基于一维声栅中的Rayleigh-Bloch(RB)模式基本特点,设计了一种单层结构弯曲声波导.利用有限元方法从时域和频域两方面验证了弯曲声波导的有效性,RB模式波可以沿着波导的弯曲界面传播.研究发现,由于采用了环形结构基本单元,在该波导中存在两种传播模式,分别对应能量局域在单元间(模式-1)和单元内部(模式-2)两种情况.其中,模式-2声传输效果更佳,几乎可实现无损传输.时域研究中分别采用了调制脉冲和高斯脉冲两种信号形式,分析了它们在弯曲声波导中的传输过程.由于波导中只允许RB模式波传播,因此对于宽频信号来说,可起到滤波的效果.并且,不同模式(频率)的信号会出现在声波导的不同位置,所得结果对于声波定向传输、声探测与识别等研究具有理论与应用价值.     

A_a－B_b型缩聚反应的0－次和1－次回转半径

Ａ_ａ－Ｂ_ｂ型缩聚反应的０－次和１－次回转半径巴信武，李泽生潘守甫（吉林大学理论化学研究所长春，１３００２３）（吉林大学原子与分子物理研究所）关键词缩聚反应，回转半径，差分方法高分子回转半径是表征高分子尺度的重要物理量，Ｄｏｂｓｏｎ和Ｇｏｒｄｏｎ［１...     

含引发机制的Af -Ag型缩聚反应固化理论——高分子矩及平均分子量

讨论了含引发机制的A_f -A_g型缩聚反应体系, 利用该体系数量分布函数, 给出了高分子矩的循环公式. 进一步应用循环公式, 计算了1次、2次、3次高分子矩, 进而得到凝胶点前后的数均分子量、重均分子量和Z-均分子量的明确表达式.     

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

非线性Af一Bg型自由基交替共聚反应的固化理论

利用高分子反应统计理论,给出了非线性Af-Bg型自由基交替共聚反应的溶胶-凝胶分配方程和反应体系的凝胶化条件,这些结果是进一步研究与凝胶网络性能相关的网络结构参数的基础．