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81.
对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围,提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理,分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性,给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明,高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且,随着分层介质周期单元数的增多,高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后,讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系.
关键词:
分层介质
带隙特性
周期单元
高反射区 相似文献
82.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
83.
用1H NMR、13C NMR谱、自旋-晶格弛豫时间(T1)和自旋-自旋弛豫时间(T2)研究了丙烯腈在60Co γ射线辐射聚合后的大分子结构变化与大分子链的运动. 结果表明随着辐射剂量增大,在单体形成聚合物的过程中,聚合物主链上出现了少量的-OH基团,继续增大辐射剂量, -OH部分被氧化. 对聚合物溶液的变温氢谱的研究表明,溶剂中的残余水与上述-OH形成氢键,且随着温度升高氢键被破坏,同时H2O与-OH之间还存在着质子交换. 利用13C NMR谱对丙烯腈辐射聚合的产物进行了序列结构分析. 对T1和T2的研究表明,辐射剂量的增大并未影响到聚丙烯腈的链运动,证明了在丙烯腈的辐射聚合过程交联反应未发生. 相似文献
84.
85.
86.
87.
By dynamical simulations, we show a transforming process between neutral soliton (spin carrier) and charged soliton (charge carrier) in polymers via photo-excitation, taking a polaron as the transitional bridge. It is photoinduced transformation between spin carrier and charge carrier. In this way, we demonstrate an access for polymers to be applied to spintronics. 相似文献
88.
89.
By means of the Leggett-Williams fixed-point theorem, criteria are developed for the existence of at least three positive solutions to the one-dimensional p-Laplacian boundary value problem, ((y′))′ + g(t)f(t,y) = 0, y(0) - B0(y′(0)) = 0, y(1) + B1(y′(1)) = 0, where (v) |v|p−2v, p > 1. 相似文献
90.