全文获取类型
收费全文 | 10757篇 |
免费 | 1931篇 |
国内免费 | 1319篇 |
专业分类
化学 | 8000篇 |
晶体学 | 71篇 |
力学 | 660篇 |
综合类 | 81篇 |
数学 | 1116篇 |
物理学 | 4079篇 |
出版年
2024年 | 29篇 |
2023年 | 289篇 |
2022年 | 333篇 |
2021年 | 414篇 |
2020年 | 497篇 |
2019年 | 429篇 |
2018年 | 356篇 |
2017年 | 304篇 |
2016年 | 510篇 |
2015年 | 458篇 |
2014年 | 551篇 |
2013年 | 778篇 |
2012年 | 991篇 |
2011年 | 1008篇 |
2010年 | 660篇 |
2009年 | 653篇 |
2008年 | 730篇 |
2007年 | 640篇 |
2006年 | 564篇 |
2005年 | 495篇 |
2004年 | 381篇 |
2003年 | 326篇 |
2002年 | 282篇 |
2001年 | 222篇 |
2000年 | 218篇 |
1999年 | 258篇 |
1998年 | 220篇 |
1997年 | 195篇 |
1996年 | 207篇 |
1995年 | 184篇 |
1994年 | 148篇 |
1993年 | 133篇 |
1992年 | 111篇 |
1991年 | 82篇 |
1990年 | 86篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 49篇 |
1987年 | 46篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 28篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 3篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
911.
Influence of Hydrothermal Temperature on Structures and Photovoltaic Properties of SnO2 Nanoparticles 总被引:1,自引:0,他引:1
Liu Yang Yang Jihua Yang Wensheng Xie Tengfeng Bai Yubai Li Tiejin 《Journal of nanoparticle research》2000,2(3):309-313
Two SnO2 nanoparticles were synthesized by hydrothermal method at 170°C and 180°C, respectively. Transmission electron microscope observations reveal that the diameters of both the nanoparticles are around 6nm. At the same time, surface photovoltage spectroscopy measurements show that the nanoparticle synthesized at 180°C has more surface electronic states at 0.3eV below the conduction band than the one synthesized at 170°C. This means that the temperatures chosen in hydrothermal synthesis have significant influence on the surface electronic characteristics of resultant SnO2 nanoparticles but the effect on their sizes is not obvious. However, after being calcined at 500°C for 2h, the diameter of the nanoparticle synthesized at 180°C increased to 23nm and that of the nanoparticle synthesized at 170°C increased to 32nm as calculated from X-ray diffraction pattern. 相似文献
912.
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性,从自旋扩散理论和欧姆定律出发,得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现,极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子,即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响.
关键词:
自旋电子学
自旋注入
有机半导体
极化子 相似文献
913.
采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard公式得到.通
关键词:
1-xMnxSe外延薄膜')" href="#">Pb1-xMnxSe外延薄膜
透射光谱
带隙
折射率 相似文献
914.
以XLPE高压电力电缆内外侧绝缘中的电树枝特性为研究对象,通过分析电树枝引发与生长的统计实验规律和采用扫描电子显微镜分析发现,由于不同结晶状态的影响,电缆绝缘内外侧的电树枝特性存在很大的差异.引发于绝缘内侧电树枝引发时间短、生长速度快、电树枝形状具有多样性;起始于绝缘外侧的电树枝不仅引发时间长、生长速度极慢,而且电树枝形状(结构)比较单一.并对这两个位置电树枝的引发和生长机理进行了探讨.
关键词:
电树枝
结晶状态
统计规律
内侧和外侧绝缘层 相似文献
915.
采用皮秒532nm 激光激发,研究了ZnWO4晶体的受激拉曼散射和本征荧光发射.在SRS光谱中观察到一级(558.7nm)和二级(588.6nm)斯托克斯光,线宽分别为130和77cm-1, 一级斯托克斯光的抽运阈值为6.8mJ.在532nm激光抽运下ZnWO4晶体的荧光光谱呈现出由能量为2.30,2.45和2.83eV的3个高斯分量组成的独特结构.光致发光表明晶体具有从400nm到650nm的宽带本征发光,其峰值波长为472.0nm,相应于钨氧之间的辐射跃迁.
关键词:
晶体
钨酸锌
受激拉曼散射
闪烁体 相似文献
916.
应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO2分子的电子态及其离解极限,采用B3P86方法,在6-311G**水平上,优化出SiO2基态分子稳定构型为单重态的C2V构型,其平衡核间距Re=RSi-O=0.1587 nm,∠OSiO=111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率v(B2)=945.4cm-1,弯曲振动频率v(A1)=273.5 cm-1和反对称伸缩振动频率v(A1)=1362.9cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态SiO2分子的全空间解析势能函数,该势能函数准确再现了SiO2(C2V)平衡结构. 相似文献
917.
利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律. 相似文献
918.
The structural stability and magnetic properties of the icosahedral Ni13, Ni13^+1 and Ni13^-1 clusters have been obtained by utilizing all-electron density functional theory with the generalized gradient approximations for the exchange-correlation energy. The calculated results show that the ground states of neutral and charged clusters all favour a D3d structure, a distorted icosahedron, due to the Jahn-Teller effect. The radial distortions caused by doping one electron and by doping one hole are opposite to each other. Doping one electron will result in a 1/2 decrease and doping one hole will result in a 1/2 increase of the total spin. Both increasing interatomic spacing and decreasing coordination will lead to an enhancement of the spin magnetic moments for Nil3 clusters. 相似文献
919.
920.
直接扣除法测量半导体光放大器频率响应 总被引:1,自引:0,他引:1
在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。 相似文献