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131.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
132.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
133.
由大学多媒体教学实践所引发的深入思考 总被引:5,自引:0,他引:5
多媒体技术是物理教学良好的辅助工具,多媒体技术的应用为大学物理教学开辟了一片广阔天地。它能大大增加物理教学的信息量,图形形象直观、生动活泼,有着传统教学无法比拟的优势,但是,多媒体技术使用不当也会给物理教学带来一些负面影响。 相似文献
134.
Ching-Cherng Sun You-Nian Lin Shih-Po Yeh Wei-Chia Su Yuh Ouyang 《Optics & Laser Technology》2002,34(7):523-526
High longitudinal selectivity of the shifting multiplexing with spherical reference wave is proposed and demonstrated. A simplified method based on wave optics is used for calculating the selectivity, and the result fits well the experimental measurement. Under the paraxial condition, a simple formula for the longitudinal selectivity is introduced. With use of an object lens with effective NA=0.817, we obtain that an FWHM of selectivity is as small as 1 μm. 相似文献
135.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献
136.
Let A and B be two finite subsets of a field
. In this paper, we provide a non-trivial lower bound for {a+b:aA, bB, and P(a,b)≠0} where P(x,y)
[x,y]. 相似文献
137.
138.
139.
140.
为了让临床医生更方便地使用M eta分析方法,我们根据四格表数据特点,提出了一种基于固定效应模型的简明方法。该方法简单而容易操作,且统计结果与原方法完全等价,在循证医学领域很有推广价值。 相似文献