4-(2-(4-咪唑)苯乙烯基)吡啶和三种芳香二羧酸的Cd(Ⅱ)配位聚合物的合成、结构及荧光性质

以4-(2-(4-咪唑)苯乙烯基)吡啶(ISPE)为配体,分别与间苯二甲酸(1,3-H_2BDC)、4,4′-联苯二甲酸(4,4′-H_2BPDC)和4,4′-二苯乙烯二甲酸(4,4′-H_2STDC)及过渡金属盐Cd(NO3)2·4H_2O通过溶剂热自组装形成了3种配位聚合物晶体{[Cd_2(ISPE)_2(1,3-BDC)_2]·DMF}_n(1)、[Cd(ISPE)(4,4′-BPDC)]_n(2)和[Cd(ISPE)_2(4,4′-STDC)(H_2O)_2]_n(3)。并用单晶X射线衍射、PXRD、红外光谱、元素分析、热重等对其进行了表征。单晶解析结果表明:配位聚合物1是二维层状网格结构,配位聚合物2是一个六重穿插的类金刚烷三维网格结构,配位聚合物3是由一维网格结构通过氢键和分子间作用力堆积形成的三维网格结构。另外还研究了它们的室温固态荧光性能。     

高压制备Ag_(1-x)Pb_(18)SbTe_(20)及其电学性能的研究

采用高压方法制备了Ag偏离化学计量比的Ag1-xPb18SbTe20(x=0,0.3,0.6)样品,研究了Ag含量及温度对样品电学输运性能的影响。X射线衍射测试结果表明,样品具有单相NaCl结构,晶格常数随Ag含量的减少而变小。电学输运性能测试表明:与常规制备方法相比,高压方法制备的AgPb18SbTe20样品的电导率较高;样品电导率随x的增大而逐渐增大,x=0.6时,室温条件下的样品电导率高达1 598.4S/cm。随着温度的升高,Seebeck系数增大,电导率减小。300℃时,Ag0.4Pb18SbTe20样品的功率因子达到最大值,约为1.97mW/(m·K2)。     

Surface Structure of Large Synthetic Diamonds by High Temperature and High Pressure

With NiMnCo and FeCoNi alloys as solvent metals, large single-crystal diamonds of about 3mm across are grown by temperature gradient method （TGM） under high temperature and high pressure （HPHT）. Although both {100} and {111} surfaces are developed by a layer growth mechanism, some different characteristic patterns are seen clearly on the different surfaces, no matter whether NiMnCo or FeCoNi alloys are taken as the solvent metals. For {100} surface, it seems to have been melted or etched greatly, no dendritic patterns to be found, and only a large number of growth hillocks are dispersed net-likely; while for {111} surface, it often seems to be more smooth-faced, no etched or melted traces are present even when a lot of depressed trigonal growth layers. This distinct difference between {111} and {100} surfaces is considered to be related to the difference of surface-atom distribution of different surfaces, and {111} surfaces should be more difficult to be etched and more steady than {100} surfaces.     

手性双核Eu(Ⅲ)配合物的合成及光谱性质（英文）

基于Eu(Ⅲ)配合物的圆偏振发光材料在三维显示和生物响应成像等领域中引起了广泛的关注,我们设计并报道了一对羧基化2,2′-联吡啶手性配体((+)-L和(-)-L)的合成。通过与高发光效率的β-二酮Eu(Ⅲ)配合物[Eu(TTA)3]·2H2O(TTA=2-噻吩甲酰三氟丙酮)反应,可以分别得到一对手性双核Eu(Ⅲ)对映体[Eu2((+)-L)2(TTA)2(C2H5OH)2]((+)-1)和[Eu2((-)-L)2(TTA)2(C2H5OH)2]((-)-1),并通过单晶X射线衍射测定了(+)-1的结构。我们研究了(+)-1和(-)-1的吸收、发射和手性光谱学性质,能够清晰地检测到圆偏振发光活性。     

手性配体2,5-二(4,5-蒎烯-2-吡啶)吡嗪及其铼配合物的合成与表征

本文报道了手性配体2,5-二(4,5-蒎烯-2-吡啶)吡嗪(L)及其铼配合物[Re(CO)3Cl(L)].DMF的合成与表征。X射线单晶衍射分析表明配体L晶体为单斜P21空间群,而配合物[Re(CO)3Cl(L)].DMF晶体为正交P212121空间群。配合物[Re(CO)3Cl(L)].DMF中铼原子与配体中的2个氮原子、3个羰基中的碳原子以及1个氯原子配位。CD谱和VCD谱测试表明,配体和配合物都表现出光学活性。受光激发时,配体和配合物分别在420和650 nm处发光。配体和配合物都具有二阶非线性光学性质,其二阶非线性光学效应分别为尿素的0.4和0.3倍。     

可听声频段的声学超材料

制作了一维周期排列的亥姆霍兹共振器超材料,在空气环境下测试了其在可听声频段声学透射行为.实验结果表明,在2.1—3.5 kHz附近该材料具有透射衰减的吸收峰,利用声传输线理论（ATLM）计算的透射率和实验结果一致,同时由计算的等效阻抗分析可知,实验中出现的吸收峰是由HRs共振的回波反射引起的.另外,实验测试的样品中透射信号分布进一步验证了材料的共振效应,也就是会出现与外加激励反相响应.基于前述的共振模型计算出该材料的等效弹性模量为负. 关键词： 亥姆霍兹共振器 声传输线 吸收峰 等效弹性模量     

籽晶尺寸对宝石级金刚石单晶生长的影响

本文在国产六面顶压机上,在5.6 GPa, 1250—1450℃的高压高温条件下,分别选用边长0.8, 1.5和2.2 mm三种尺寸的籽晶,系统开展了Ib型宝石级金刚石单晶的生长研究.文中系统考察了籽晶尺寸对宝石级金刚石单晶生长的影响.首先,考察了籽晶尺寸变化对宝石级金刚石单晶裂晶问题带来的影响.研究得到了籽晶尺寸变大,裂晶出现概率增加的晶体生长规律.其次,在25 h的生长时间内,考察了上述三种尺寸籽晶生长金刚石单晶时,生长时间与单晶极限生长速度的关系.得到了选用大尺寸籽晶,可以提高优质单晶合成效率、降低合成成本的研究结论.借助扫描电子显微镜和光学显微镜,对三种尺寸籽晶生长金刚石单晶的表面形貌进行了标定.最后,傅里叶微区红外测试,对三种尺寸籽晶生长宝石级金刚石单晶的N杂质含量进行了表征.研究得到了选用大尺寸籽晶实现快速生长金刚石的同时,晶体的N杂质含量会随之升高的晶体生长规律.     

高长径比柱状金刚石的高温高压合成与机理研究

为了拓展金刚石的种类和解决金刚石工具使用过程中因把持力不足造成的使用寿命降低等, 在中国式六面顶压机上, 通过对FeNi触媒成分和工艺的优化, 成功合成出高质量长径比大于2.5, 平均粒度在0.8—1.0 mm的柱状金刚石晶体. 该晶体独特的形貌, 将极大改善金刚石工具的在使用过程中出现的"脱粒"现象. 另外, 实验中发现, 柱状金刚石晶体的生长速度也远大于传统晶体的生长速度. 采用扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)等手段对柱状金刚石晶体及晶体周围触媒成分进行了表征; 结果表明, 柱状金刚石晶体在生长过程中存在{100}和{111}晶面拉长, 以及包覆在晶体周围的触媒成分偏析. 在此基础上, 阐明了柱状晶体生长机理.     

Recent progress towards fluorinated copolymers for efficient photovoltaic applications

This review paper summarizes the recent progress of highly efficient copolymers with the fluorination strategy for photovoltaic applications. We first present a brief introduction of the fundamental principles of polymer solar cells, and then the functions of fluorine atoms on the polymer donor materials. Finally, we review the research progress of the reported copolymers by classification of the fluorinated acceptor units and donor units, respectively. The resulting structure-property correlations of these copolymers are also discussed which shall certainly facilitate widespread utilization of this strategy for constructing high-performance photovoltaic copolymers in the future.     

ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

利用直流反应溅射方法在p型Si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关. 关键词： ZnO薄膜 异质结 光电转换 光谱响应