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201.
We report on space-selective co-precipitation of silver and gold nanoparticles in Ag+, Au3+ co-doped silicate glasses by irradiation of femtosecond laser pulses and subsequent annealing at high temperatures. The color of the irradiated area in the glass sample changed from yellow to red with the increase of the annealing temperature. The effects of average laser power and annealing temperature on precipitation of the nanoparticles were investigated. A reasonable mechanism was proposed to explain the observed phenomena. 相似文献
202.
利用新研制的紧凑型线性变压器驱动源(LTD)脉冲功率源二极管产生的电子束源,开展了S波段长脉冲相对论速调管放大器(RKA)的初步实验研究。采用无箔空心阴极和0.9 T恒流源引导磁场从LTD二极管引出了电压600 kV、束流6 kA、脉宽150 ns的环形电子束,该电子束经过1个同轴输入腔和2个同轴调制腔的调制后,产生了幅度5 kA、脉宽110 ns的基波调制束流,采用该调制束流驱动同轴微波提取腔,辐射输出了峰值功率820 MW/110 ns的辐射微波,效率28%,增益36 dB。同时,开展了重复脉冲RKA和相位特性的实验研究,重复频率10 Hz运行时,辐射微波达到800 MW/100 ns,相位抖动小于 20°。 相似文献
203.
Wen-ting Xu Hai-ling Tu Da-li Liu Ran Teng Qing-hua Xiao Qing Chang 《Journal of nanoparticle research》2011,13(12):7095-7098
An innovative fabrication technique for the nanometer-sized SiGe/Si heterostructure was developed in this study. Ge was induced
in Si substrate by two-step ion implantation. The spherical SiGe nanoclusters are self-assembled in the Si substrate by subsequent
rapid thermal annealing at 1,100 °C. The diameter of the spherical SiGe nanoclusters is 5–7 nm. Visible photoluminescence
from this nanometer-sized SiGe/Si heterostructure at room temperature was investigated. We found three peak energies of visible
luminescence spectra at 1.97, 2.13, and 2.16 eV, respectively. The luminescence intensity depends on the number of the nanoclusters
and will be decreased because of the micro-defects around the heterostructure, which is discussed in detail. 相似文献
204.
介绍了一种应用于高功率脉冲源的低电感、高通流能力、长寿命的同轴型电容器。通过理论计算,综合考虑电容器的工作电压、电感、通流能力、与开关的连接方式等,确定了电容器的芯子结构、绝缘子结构及电极结构。通过设计实验线路,测试了电容器的电压、电感、通流能力、寿命等参数。实验结果表明:电容器电容量1.5 μF,工作电压100 kV,工作电流250 kA,峰值电流大于300 kA,电容器电感小于20 nH,储能密度205 J/L,工作寿命大于6 000次。 相似文献
205.
聚合物光伏探测器是一种极具应用前景的新型光电探测器件.研究了基于窄带隙聚合物的高性能可见-近红外光伏探测器,结果表明,所制备的光伏探测器在可见至近红外光谱范围内具有宽的光谱响应(380—960 nm)、出色的响应度(840 nm时达到380 mA/W)和归一化探测度;同时,器件在暗态反偏条件下的能级示意图揭示了器件内平均电场较低是较厚光敏层器件具有低噪声电流的主要原因.电容-电压与时间周期性响应曲线研究表明聚合物光伏探测器具有快速的响应能力和良好的周期重复性. 相似文献
206.
The silicon/graphite (Si/G) composite was prepared using pyrolytic polyacrylonitrile (PAN) as carbon precursor, which is a nitrogen-doped carbon that provides efficient pathway for electron transfer. The combination of flake graphite and pyrolytic carbon layer accommodates the large volume expansion of Si during discharge-charge process. The Si/G composite was synthesized via cost-effective liquid solidification followed by carbonization process. The effect of PAN content on electrochemical performance of composites was investigated. The composite containing 40 wt% PAN exhibits a relatively better rate capability and cycle performance than others. It exhibits initial reversible specific capacity of 793.6 mAh g?1 at a current density of 100 mA g?1. High capacity of 661 mAh g?1 can be reached after 50 cycles at current density of 500 mA g?1. 相似文献
207.
根据法拉第效应的非互易性原理,分析了磁旋光反射腔交流调制输出倍频信号相关的特性;具体研究了倍频信号幅度及角度检测灵敏度与调制角幅度θ0和反射腔反射率R的关系.研究结果表明:当调制角幅度较小时,输出倍频信号幅度随反射率R的增加而增加,最大值是正交调制法的18倍左右;利用倍频信号检测角度的灵敏度与正交法相比也得到多倍提高,... 相似文献
208.
We investigate the warm inflation condition in loop quantum cosmology. In our consideration, the system is described by a tachyon field interacted with radiation. The exponential potential function, V(?)=V0e−α?, with the same order parameters V0 and α, is taken as an example of this tachyon warm inflation model. We find that, for the strong dissipative regime, the total number of e-folds is less than the one in the classical scenario, and for the weak dissipative regime, the beginning time of the warm inflation will be later than the tachyon (cool) inflation. 相似文献
209.
黄芩的1H NMR指纹图谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用PFT-NMR 核磁共振波谱仪测定了黄芩提取物的1H NMR图谱,对黄芩提取物的1H NMR指纹图谱进行了解析,并与黄芩苷元、千层纸素A、汉黄芩素和黄芩苷进行了比较,获得了黄芩提取物的特征峰,并利用向量夹角法计算了不同指纹图谱的相似度;结果表明不同黄芩提取物的1H NMR指纹图谱都显示出黄酮类有效成分特征共振峰,并具有很好的重现性和高度的特征性,可以成为黄芩真伪鉴别的依据;不同黄芩的1H NMR指纹图谱的相似度计算结果定量地评价了不同指纹图谱的相似性. 相似文献
210.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献