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61.
Y. CHENL. GUO 《Journal of sound and vibration》2002,254(4):727-732
A proof is offered for the equivalence of the group velocity and the energy velocity for elastic waves in a free anisotropic homogenous plate. The proof is valid in the case where the group velocity may be negative while the wave number is positive. 相似文献
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63.
In this paper we develop a Fourier pseudospectral method forsolving two-dimensional vorticity equations. We prove the generalizedstability of the schemes and give convergence estimations dependingon the smoothness of the solution of the vorticity equations. Spectral methods have been applied widely to the partial differentialequations of fluid dynamics [411]. Guo Ben-yu proposeda technique to estimate strictly the error of the spectral schemesfor the K.D.V.-Burgers equation, the two-dimensional vorticityequations, and the Navier-Stokes equations [5,6,8]. On the otherhand, the authors [7,10] developed a pseudospectral method byusing Riesz spherical means to get better results. In this paper,we generalize this method to two-dimensional vorticity equations.The generalized stability and the convergence are proved. Thenumerical results show the advantage of such a method. 相似文献
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采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
65.
66.
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
67.
68.
火焰原子吸收光谱法测定生物样品中锌、铜和锰 总被引:1,自引:1,他引:0
生物样品经消化处理后,用火焰原子吸收光谱法测定样品中锌、铜和锰的含量,平均加标回收率为97.3%-102.4%,相对标准偏差(RSD)为0.65 %-1.40%.锌、铜和锰在给定范围内呈现良好的线性关系,相关系数分别为0.9994、0.9994和0.9983,方法简便,快速,结果可靠. 相似文献
69.
70.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献