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191.
Note on Bernstein polynomials and Kantorovich polynomials 总被引:2,自引:0,他引:2
Wang Xiaochun 《分析论及其应用》1991,7(2):99-105
We obtain two asymptotic representations of remainder of approximation of derivable functions by Bernstein polynomials and
Kantorovich polynomials separately. 相似文献
192.
193.
Ronggang Wang 《Communications in Mathematical Physics》1991,137(3):587-597
A new type of vortices called Chern-Simons vortices is considered and the existence is established. 相似文献
194.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV. 相似文献
195.
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
196.
197.
198.
199.
200.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献