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961.
Daniel S. Covita Dimitrios F. Anagnostopoulos Hermann Fuhrmann Hubert Gorke Detlev Gotta Alexander Gruber Albert Hirtl Tomoichi Ishiwatari Paul Indelicato Thomas S. Jensen Eric-Olivier Le Bigot Valeri E. Markushin Michael Nekipelov Vladimir N. Pomerantsev Vladimir P. Popov Joaquim M. F. dos Santos Philipp Schmid Leopold M. Simons Marian Theisen Martino Trassinelli Joao F. C. A. Veloso Johann Zmeskal 《The European Physical Journal D - Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics》2018,72(4):72
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提出了一种三维RC网络模型,并采用MATLAB及C语言对该模型进行编码、建模和仿真,得到了该网络的归一化复介电常数.分别计算了元件数为54,144,300,540和882的三维RC网络,结果表明,元件数为300及其以上的网络,其通用介质响应(UDR)特性趋于稳定;获得了电容分别为100nF,10nF,1nF和100pF时,540个元件RC网络的归一化复介电常数与频率关系的仿真结果;仿真了540个元件的RC网络中,电阻比例分别为4%,7%,10%,16%和33%时,归一化复介电常数与角频率ω的
关键词:
三维RC网络
异质材料
介电常数
通用介质响应 相似文献
966.
JIANG Xue-song ZHAO Tian-xia LIU Xiao ZHOU Yue-chun SHEN Fei JU Xing-rong LIU Xing-quan ZHOU Hong-ping 《光谱学与光谱分析》2018,38(12):3729-3735
小麦是我国战略性储藏粮食品种,但小麦易受霉菌感染而发生霉变,影响其食用安全。加强小麦有害霉菌侵染程度的早期检测是控制其危害的需要措施。然而,现有的平板计数和荧光染色等检测方法,普遍存在前处理繁杂、时效性差等不足。故此,拟运用阵列式光纤光谱仪结合化学计量学方法,建立霉变小麦的实时在线检测方法,并为进一步开发粮食品质与安全在线检测装备提供参考。小麦样品经辐照灭菌后分别接种五种谷物中常见有害霉菌:串珠镰刀菌83227、层出镰刀菌195647、雪腐镰刀菌3.503、寄生曲霉3.3950和赭曲霉3.3486,并置于28 ℃和85%相对湿度环境中储藏7 d以加速霉变。在样品储藏的第0,1,3,5和7 d,运用阵列式光纤光谱仪和漫反射探头在线采集样品的漫反射特征光谱,并依据国标平板计数法测定样品菌落总数水平。光谱采集步骤为:在线检测平台上,设置样品运动速度0.15 m·s-1和光谱仪积分时间20 ms,采集波段为600~1 600 nm,重复测量3次。然后,首先对小麦原始光谱进行平滑、多元散射校正和导数变换等预处理以消除光谱噪音;随后,运用主成分分析(PCA)对受不同霉变程度(储藏阶段)的小麦样品进行区分;最后,利用线性判别分析(LDA)和偏最小二乘回归分析(PLSR)建立小麦有害霉菌侵染程度的定性定量分析模型。小麦在储藏期内经历未霉变、开始霉变和严重霉变三个阶段。原始和二阶微分光谱显示霉菌侵染引起小麦光谱特征发生显著改变,PCA结果表明不同储藏阶段(霉变程度)小麦样品存在一定分离趋势。利用前十个主成分得分建立的LDA判别模型,对不同霉变程度小麦样品的识别率达90.0%以上。结果表明:小麦样品菌落总数的PLSR定量预测模型的预测决定系数(R2p)为0.859 2,预测均方根误差(RMSEP)为0.401 Log CFU·g-1,相对分析偏差(RPD)达2.65。应用阵列式光纤光谱仪结合计量学方法在线评估小麦霉变具有一定可行性。下一步研究中,应扩大样品量,补充自然霉变及受更多代表性霉菌侵染的小麦样品,以不断增强模型的鲁棒性和方法的适用性。 相似文献
967.
介绍了氦冷固态增殖实验包层(HCCB TBM)系统,该系统主要由TBM 包层、氦冷却系统、氚提取系统、冷却剂净化系统、氚计量系统和中子活化系统等组成。TBM 结构安全分析主要包括电磁安全分析、热工水力安全分析和中子学安全分析,TBM 材料安全分析主要包括结构材料安全分析、阻氚涂层和氚处理等功能材料安全分析。对国内外学者在上述安全分析研究工作中取得的研究进展进行综述,并对TBM 未来的安全分析工作进行展望,以期对其安全设计提供参考。 相似文献
968.
W. C. Ren B. Liu Z. T. Song X. Z. Jing B. C. Zhang Y. H. Xiang H. B. Xiao J. Xu G. P. Wu R. J. Qi S. Q. Duan Q. Q. Yu S. L. Feng 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(4):999-1002
The gap filling of phase change material has become a critical module in the fabrication process of phase change random access memory (PCRAM) as the device continues to scale down to 45 nm and below. However, conventional physical vapor deposition process cannot meet the nanoscale gap fill requirement anymore. In this study, we found that the pulsed deposition followed by inductively coupled plasma etching process showed distinctly better gap filling capability and scalability than single-step deposition process. The gap filling mechanism of the deposit–etch–deposit (DED) process was briefly discussed. The film redeposition during etching step was the key ingredient of gap filling improvement. We achieved void free gap filling of phase change material on the 30 nm via with aspect ratio of 1:1 by two-cycle DED process. The results provided a rather comprehensive insight into the mechanism of DED process and proposed a potential gap filling solution for 45 nm and below technology nodes for PCRAM. 相似文献
969.
Caterina Canovaro Irene Calliari Michele Asolati Francesco Grazzi Antonella Scherillo 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(4):1019-1025
Mixing of different organic charge-transfer-complexes (CT-complexes) might allow the adjustment of the optical and morphological properties of the resulting material system. In this work, a study of two CT-complexes, mixed by thermal coevaporation at different concentrations by substituting only the acceptor molecules, is presented. Electron diffraction patterns, which were collected on samples of the ternary system of the prototypical CT-complexes DBTTF-TCNQ and DBTTF-F4TCNQ do not show any indication of a mixed crystalline phase or novel crystalline order. X-ray diffraction measurements additionally confirm the phase separation in the ternary system. However, upon mixing of the complexes, the degree of crystallinity of the individual phases is reduced. This effect correlates with the mixing ratio of the CT-complexes in the ternary compound. Furthermore, we do not observe a shift or the appearance of new peaks in the infrared spectra of (DBTTF-TCNQ) x :(DBTTF-F4TCNQ)1?x . Hence, there is no indication for a pronounced or novel chemical interaction between the individual CT-complexes in the mixed compound. 相似文献
970.
H. Fitouri R. Boussaha A. Rebey B. El Jani 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(3):701-710
Bismuth nanodroplets on GaAs substrate were obtained by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). New products have been synthesized when Bi nanodroplets are heated under oxygen atmosphere. The oxidation process of Bi nanodroplets consists of a heating from the room temperature to different oxidation temperatures (350, 500, 600 °C) with a temperature rate of 14 °C/min. The annealing duration was fixed to 30 min. The presence of oxygen in the products was confirmed by energy dispersive X-ray (EDX) measurements using a scanning electron microscope (SEM). SEM images show that Bi microcomposites density decrease and their size increases with increasing annealing temperature. After X-ray diffraction analysis of the products no obvious peaks could be observed. The reflectance spectra of the products were studied in spectral domains ranged from 200 nm to 1100 nm. By fitting the reflectivity signal, we extracted the thickness of the products and their refractive index variation versus wavelength. The results show that the thickness of the samples increases with increasing annealing temperature. The photoluminescence (PL) spectra under excitation at 325 nm shows a broad emission centered at around 1.92 eV. 相似文献