非晶合金条带的爆炸焊接

 报道了利用爆炸焊接技术对铁基、铁镍基非晶合金条带（厚度约25 μm）进行单层和多层爆炸焊接的结果。金相分析结果表明，条带间相互结合良好；X光衍射结果说明，焊接后的条带仍保持非晶态，即使采用表面已有部分晶化德条带进行焊接，焊接后仍转化为非晶态。这说明在焊接过程中条带表面已发生熔化，且冷却速度也可达10⁶ K/s量级。     

MDP－PROLOG~（＋＋）语言的实现

给出了ＭＤＰ－ＰＲＯＬＯＧ＋＋语言的预编译技术，详细论述了预编译程序ＰＰＰ的总体设计、数据结构、扫描处理以及进程文本创建．该语言已在多层分布并行处理系统Ｗｕｄｐ－９１上实现     

1，1’－联－2－萘酚硼烷的辛可宁和麻黄碱衍生物的合成

１，１’－联－２－萘酚硼烷的辛可宁和麻黄碱衍生物的合成单自兴，孙杰，段标，杨洗，赵德杰（武汉大学化学系，武汉，４３００７２）关键词１，１’－联－２－萘酚，硼烷，辛可宁，麻黄碱，硼烷配合物，合成中国法分类号Ｏ６２７·３１ｌ，ｌ’一联一２一条酚在大环化学...     

量子位Heisenberg XX开链中边界量子位之间的纠缠

Heisenberg 开链对研究量子态在自旋链上的传递有重要的意义.本文研究了五量子位Heisenberg XX 开链中边界量子位之间的纠缠，在该系统中引入了磁杂质和系统杂质且它们之间满足线性关系时，该系统可以精确求解，此时边界量子位之间存在纠缠.选择合适的杂质参数和磁场参数，该边界纠缠的最大值可达到0.5. 关键词： Heisenberg XX开链 边界纠缠 杂质     

线性滑轨支撑微型斯特林制冷机的开发及性能调试

介绍了独立开发的采用线性滑轨支撑的微型整体式斯特林制冷机,对结构设计的要点进行了详尽的分析,指出采用线性滑轨支撑将大大改善旋转电机驱动斯特林制冷机的可靠性.文中还介绍了对影响制冷机性能特性的因素进行综合试验的情况.     

P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系。产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系。     

新时代背景下大学物理基础课程教学的讨论

本文讨论的是＂以怎样的理念实施大学物理基础课程教学,才能使学生的学习训练获得最大收益＂.文章首先回顾近30年来教学思想随时代发展的变化,然后提出新时代背景下大学物理基础课程教学＂以学生为中心,使广大学生在知识、能力、素质上获得全面提高＂的新理念.     

FTIR法研究氨基酸稀土配合物与磷脂的相互作用

利用傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）法研究了不同类型氨基酸及其配合物与二棕榈酰磷脂酰胆碱脂质体浇铸膜的相互作用。结果表明，在有氨基酸存在下，二棕榈酰磷脂酰胆碱的红外谱图没有明显的变化；氨基酸稀土配合物与磷脂极性头基团有静电相互作用，作用的程度随稀土离子、氨基酸及稀土同氨基酸配比的不同而有所不同。     

Average Property of Isospin Effects Induced by Neutron-Halo Nuclei

We study the average property of the isospin effects of reaction mechanism induced by neutron-halo nuclei within the isospin-dependent quantum molecular dynamics model. We find that the extended neutron density distribution for the neutron-halo projectile brings an important isospin effect into the reaction mechanism, which induces the decrease of nuclear stopping R; however, it induces the obvious increases of the neutron-proton ratio of nucleon emissions （n/p）nucl for all of the beam energies in this work, compared to the same mass stable colliding system.     

Sub-nanosecond silicon-on-insulator optical micro-ring switch with low crosstalk

<正>We demonstrate a sub-nanosecond electro-optical switch with low crosstalk in a silicon-on-insulator(SOI) dual-coupled micro-ring embedded with p-i-n diodes.A crosstalk of -23 dB is obtained in the 20-μm-radius micro-ring with the well-designing asymmetric dual-coupling structure.By optimizations of the doping profiles and the fabrication processes,the sub-nanosecond switch-on/off time of400 ps is finally realized under an electrical pre-emphasized driving signal.This compact and fast-response micro-ring switch,which can be fabricated by complementary metal oxide semiconductor(CMOS) compatible technologies,have enormous potential in optical interconnects of multicore networks-on-chip.