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71.
72.
The ion-beam-assisted etching of silicon in Cl2 environment is considered. The theoretically calculated dependences of silicon etching rate on the flux of Cl2 molecules at different ion current densities are compared with experimentally measured. The composition of the adsorbed layer is determined. It is found that SiCl2 molecules prevail in the adsorbed layer. The reciprocal of relative concentration of SiCl2 molecules in the adsorbed layer linearly depends on the ion-to-neutral flux ratio.  相似文献   
73.
Nanocrystalline FeS2 cathode material of lithium cell was synthesized from cheap materials of FeSO4, Na2S2O3, and sulfur by a hydrothermal process. The scanning electron microscopy analysis showed the obtained material was nano-sized, about 500 nm. The X-ray powder diffraction analysis showed that the synthetic FeS2 material had two phases of the crystalline structure, pyrite and marcasite. The phase of marcasite seems to have no negative effect on the electrochemical performance of the material. The synthetic FeS2 showed a significant improvement of electrochemical performance for Li/FeS2 cells.  相似文献   
74.
We study continuum and atomistic models for the elastodynamics of crystalline solids at zerotemperature.We establish sharp criterion for the regime of validity of the nonlinear elastic wave equationsderived from the well-known Cauchy-Born rule.  相似文献   
75.
76.
Peptidosulfonamides are an emerging group of peptidomimetics with a variety of applications in medicinal chemistry. We present a novel approach to the synthesis of peptidosulfonamides, and apply it to a series of new potential inhibitors of the bacterial peptidoglycan biosynthesis enzymes MurD and MurE. The synthesis was conducted via N-phthalimido β-aminoethanesulfonyl chlorides, which are new building blocks for the synthesis of peptidosulfonamides. In the most crucial step, sulfonic acids or their sodium salts were converted into the corresponding sulfonyl chlorides using an excess of either SOCl2 or SOCl2/DMF, and then coupled to the C-protected amino acid. None of the compounds significantly inhibited MurD, however, some inhibited MurE; one had an IC50 below 200 μM, which constitutes a promising starting point for further development. Molecular modelling simulations were performed on two analogues to investigate the absence of inhibitory activity of the sulfonamide compounds on MurD.  相似文献   
77.
78.
T-C模型中虚光子过程对光场压缩效应的影响   总被引:11,自引:1,他引:10       下载免费PDF全文
利用全量子理论,研究非旋波近似下TC模型中受激场的压缩效应.结果表明:非旋波近似下,由于虚光场的影响,Q的演化曲线出现了“小锯齿状”,表现为系统的量子噪声,随着ω和n的增大,量子噪声分别减小和增大,虚光子过程使光场的压缩程度明显加深;研究结果还揭示了原子场耦合系数λ及原子间耦合系数g与光场压缩效应的关系. 关键词: T-C模型 非旋波近似 压缩效应 量子噪声  相似文献   
79.
聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
综合使用核磁,VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究,分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明,近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。  相似文献   
80.
赵毅  万星拱 《物理学报》2006,55(6):3003-3006
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词: 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量  相似文献   
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