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991.
以中国散裂中子源CSNS的直线加速器控制网为例,对其数据处理方法进行研究,采用平面与高程二维平差以及三维定向平差两种方式对准直控制网进行处理分析。同时,为了使准直数据处理更加简易便利,提出利用激光跟踪仪的测量软件SA实现三维定向平差的方法。通过不同软件及不同数据处理方法的对比,验证准直控制网数据处理的正确性,最终200 m长直线控制网点位精度优于0.2 mm,这为准直控制网的数据处理提供了指导。 相似文献
992.
993.
994.
995.
We study the mechanism of van der Waals(vdW)interactions on phonon transport in atomic scale,which would boost developments in heat management and energy conversion.Commonly,the vdW interactions are regarded as a hindrance in phonon transport.Here we propose that the vdW confinement can enhance phonon transport.Through molecular dynamics simulations,it is realized that the vdW confinement is able to make more than two-fold enhancement on thermal conductivity of both polyethylene single chain and graphene nanoribbon.The quantitative analyses of morphology,local vdW potential energy and dynamical properties are carried out to reveal the underlying physical mechanism.It is found that the confined vdW potential barriers reduce the atomic thermal displacement magnitudes,leading to less phonon scattering and facilitating thermal transport.Our study offers a new strategy to modulate the phonon transport. 相似文献
996.
Towards Fabrication of Atomic Dopant Wires via Monolayer Doping Patterned by Resist-Free Lithography 下载免费PDF全文
Fabrication of atomic dopant wires at large scale is challenging.We explored the feasibility to fabricate atomic dopant wires by nano-patterning self-assembled dopant carrying molecular monolayers via a resist-free lithographic approach.The resist-free lithography is to use electron beam exposure to decompose hydrocarbon contaminants in vacuum chamber into amorphous carbon that serves as an etching mask for nanopatterning the phosphorus-bearing monolayers.Dopant wires were fabricated in silicon by patterning diethyl vinylphosphonate monolayers into lines with a width ranging from 1 μm down to 8 nm.The dopants were subsequently driven into silicon to form dopant wires by rapid thermal annealing.Electrical measurements show a linear correlation between wire width and conductance,indicating the success of the monolayer patterning process at nanoscale.The dopant wires can be potentially scaled down to atomic scale if the dopant thermal diffusion can be mitigated. 相似文献
997.
Gate Tunable Supercurrent in Josephson Junctions Based on Bi_2Te_3 Topological Insulator Thin Films 下载免费PDF全文
Wei-Xiong Wu Yang Feng Yun-He Bai Yu-Ying Jiang Zong-Wei Gao Yuan-Zhao Li Jian-Li Luan Heng-An Zhou Wan-Jun Jiang Xiao Feng Jin-Song Zhang Hao Zhang Ke He Xu-Cun Ma Qi-Kun Xue Ya-Yu Wang 《中国物理快报》2021,(3):89-94
We report transport measurements on Josephson junctions consisting of Bi_2Te_3 topological insulator(TI) thin films contacted by superconducting Nb electrodes.For a device with junction length L=134 nm,the critical supercurrent I_c can be modulated by an electrical gate which tunes the carrier type and density of the TI film.I_c can reach a minimum when the TI is near the charge neutrality regime with the Fermi energy lying close to the Dirac point of the surface state.In the p-type regime the Josephson current can be well described by a short ballistic junction model.In the n-type regime the junction is ballistic at 0.7 K T 3.8 K while for T 0.7 K the diffusive bulk modes emerge and contribute a larger I_c than the ballistic model.We attribute the lack of diffusive bulk modes in the p-type regime to the formation of p-n junctions.Our work provides new clues for search of Majorana zero mode in TI-based superconducting devices. 相似文献
998.
近年来,高压强极端条件下的富氢化合物成为高温超导体研究的热点目标材料体系.该领域目前取得了两个标志性重要进展,先后发现了共价型H3S富氢超导体(Tc=200 K)和以LaH10(Tc=260 K,–13℃),YH6,YH9等为代表的一类氢笼合物结构的离子型富氢超导体,先后刷新了超导温度的新纪录.这些研究工作燃发了人们在高压下富氢化合物中发现室温超导体的希望.本文重点介绍高压下富氢高温超导体的相关研究进展,讨论富氢化合物产生高温超导电性的物理机理,展望未来在富氢化合物中发现室温超导体的可能性并提出多元富氢化合物候选体系. 相似文献
999.
1000.
基于空气源热泵在低温寒冷地区运行中遇到的结霜问题,对不同风速工况下,结霜过程中设备性能的变化进行分析,以换热量、换热系数为指标对不同翅型换热器的换热特性进行研究.实验结果显示:换热器结霜过程中,换热过程主要分为初始增加段、换热平稳段、缓慢衰减段、后期平稳等四段,结晶体在增加空气湍流度强化换热的同时,也增加了换热热阻使换... 相似文献