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71.
72.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
73.
We investigate carrier dynamics in a passive InAs/InP quantum dot (QD) waveguide using 255 fs optical pulses at a central wavelength of 1568 nm. We observe strong anisotropy of absorption saturation for different polarizations. Pump-probe measurements indicate the presence of carrier relaxation dynamics on a timescale in the order of tens of picoseconds due to cascaded relaxation of carriers generated by two-photon absorption (TPA) from the bulk region to the QDs via the wetting layer. These relaxation timescales are much longer than in QD amplifiers. Our observations are supported by a rate-equation model which includes TPA, showing good agreement with the pump-probe measurements. 相似文献
74.
激光穿透焊的三维数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对激光穿透焊进行了三维数值模拟,除考虑焊接速度影响外,还研究了Marangoni对流对熔池流动与传热的影响。将三维数值模拟结果与相应的二维模拟结果进行了比较,结果表明,Marangoni对流对熔池的形成有很大的影响,因此不可忽略。本文还给出了估计激光穿透焊中蒸气孔尺寸与焊接热效率的方法。 相似文献
75.
枸橼酸莫沙必利的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
分别以邻羟基对氨基苯甲醇钠,对氟苯甲醛,邻苯二甲酰亚胺为起始原料,制得3个中间体,用其中2个中间体经偶合,环化后与第3个中间体反应,再经成盐制得产品,其摩尔总收率为31.5%。 相似文献
76.
D. Liu Y. Li R. An Y. Dou H. Yang Q. Gong 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2006,84(3):257-260
We studied the influence of focusing depth on the index change threshold and damage threshold of silica glass irradiated by a focused 120 fs laser beam. Both thresholds increased with the focusing depth. The aspect ratio of the waveguide cross section can be selected by changing the focusing depth. A 5 mm long waveguide was written at the depth of 2100 μm, which was single mode at 632.8 nm and exhibited propagation loss of 0.56 dB/cm. The refractive index change was calculated to be ∼2.47×10-3. The influence of the focusing depth should be considered in multi-layer devices as shown in the fabrication of a 3×3 waveguide array. PACS 42.62.-b; 42.82.Et; 81.05.Kf 相似文献
77.
奚欧根 《宁波大学学报(理工版)》1991,(1)
本文定义了Γ-环的b-理想与拟b-理想,论述了Γ-环中都有一个Baer根,一个b-根与一个拟强b-根,并且还证得了Γ-环的Baer根=b-根=拟b-根。 相似文献
78.
c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
79.
利用内径为57 mm的压缩气炮,在撞击速度为0.2~1.2 km/s(相应的靶中压力为3~15 GPa)范围内进行对称碰撞实验,以研究TC4(Ti-Al6-V4)钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品,在扫描电镜(SEM)下进行细观金相分析。结果指出,一维应变冲击压缩条件下,TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s(相当于样品中的压力为5.87 GPa);主剪切带与冲击方向约为45°角,带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大,这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大,产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出,剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变,是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。 相似文献
80.
因特网防御DoS攻击技术评述Ⅰ--攻击分类与特征·包过滤·攻击检测与防御 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了因特网上DoS攻击的相应分类及基本特征,评述了包过滤、攻击检测及防御技术的最新成果.前一部分介绍了入口过滤、基于路由的过滤网和有效源地址强制协议.后一方面主要讨论了适合于检测攻击包的技术,介绍了新近提出的频谱分析方法和泛滥检测系统.简要评述了已有的防御SYN泛滥攻击的技术措施,介绍了Cisco的TCP拦截技术,提出了改进策略. 相似文献