埋入式光纤光栅应变测量系统的设计

埋入式光纤光栅应变传感器作为大型土木结构健康监测的智能元件具有很好的发展前景。讨论了埋入式光纤光栅应变传感器的传感机理，设计了埋入式光纤光栅应变测量系统。从力学角度阐述了光栅传感探头的结构和制作工艺。采用可调谐F-P滤波器对光栅信号进行解调，解决了应变与温度交叉敏感问题。系统对应变的测量范围为0～1500με。通过理论分析证实了系统方案的可行性。     

超声法提取余甘树皮中单宁的研究

本文研究了以水替代有机溶剂作为提取剂，利用超声技术提取余甘树皮中单宁的最佳条件。研究结果表明：当超声频率为40kHz，功率为100W，作用时间为15-20min，固液比为1：24时，可一次性提取得到含量较高的缩合型单宁，同时达到节约有机提取剂和减少污染的双重效果。     

高功率脉冲激光对阶跃折射率多模光纤损伤机理

 理论分析和模拟仿真研究了激光点火系统中光纤端面损伤、光纤初始输入段损伤和光纤内部损伤机理。结果显示：端面损伤主要是由光纤端面的杂质和缺陷引起；光纤初始输入段损伤是由光束的初次反射造成光纤局部激光能量密度增大引起的；光纤内部体损伤主要由于激光自聚焦效应引起损伤和光纤受到的意外应力产生微小碎片，吸收激光能量，引起光纤局部损伤。给出了激光点火系统中提高光纤损伤阈值的一般方法，主要包括光纤端面处理、设计合理的激光注入耦合装置。     

具有空间重叠性和时间同步性的双波长TEA CO2激光器研究

提出了一种改进的双波长TEA CO2激光器,不仅具有良好的空间重叠性,而且具有比较理想的时间同步性.该激光器由两个空间上部分重叠的光栅和一个锗镜构成光栅-平面腔,两个光栅前后放置,相互利用,共同建立双频振荡,由锗镜输出双波长激光.通过改变两光栅的有效面积,对两输出脉冲空间重叠性进行调节;通过改变两光栅的角度形成的失谐缩小输出脉冲的时间间隔,达到时间同步性.实验表明,可以在空间重叠性的基础上使两输出脉冲的时间间隔由1 000 ns调整到200 ns.     

光纤陀螺数字闭环控制系统模型实验研究

数字闭环光纤陀螺的动态性能受控制系统设计的影响.根据光纤陀螺数字闭环检测过程,建立了控制系统的数学模型.为在全频带内对模型进行验证,提出了基于Faraday效应的光纤陀螺频率响应测试方法,对该测试方法与角振动台测试方法的等效性进行了分析.设计了频率响应测试系统,测试范围大于50 kHz,波形失真小于0.1%.实测了采用一阶积分控制算法的数字闭环光纤陀螺频率响应.实验结果表明模型误差小于8%.     

单个飞秒激光作用下熔融石英的微爆阈值研究

对飞秒激光脉冲在透明介质中产生微爆的物理机制进行了研究,比较了长短激光脉冲的光击穿机制,基于Fokker-Planck方程建立了飞秒激光微爆模型,给出了飞秒激光脉冲在透明介质中产生微爆的阈值解析表达式.针对飞秒激光脉冲在熔石英介质中的微爆阈值进行了计算,得到的结果与实验结果基本相符.     

降温速率对低温保存动脉粘弹性的影响

使用DMA测定了3种降温速率低温保存的家兔颈总动脉的蠕变曲线.结果表明:1.5℃/min降温速率低温保存后,血管的粘弹性最接近新鲜对照组;而对应降温速率1.5,5,10℃/min,血管粘弹性依次降低.动脉的粘弹性极有可能是评估其低温保存效果的潜在评价指标.     

羊八井太阳中子望远镜和中子监测器对2005年1月20日GLE事件的探测

西藏羊八井位于东经90.53°, 北纬30.11°, 海拔4310m, 垂直地磁截止刚度14.1GV. 2005年1月20日羊八井太阳中子望远镜和中子监测器探测到与X7.1/2b太阳耀斑相关的GLE事件, 其中太阳中子望远镜能量>40MeV的能道在5min(07:00—07:05UT)和20min(07:00—07:20UT)的时间间隔内计数率增长的统计显著性分别是3.7σ和6.0σ, 同时羊八井中子监测器也探测到计数率的增长,初始时间为06:51—06:52UT. 观测表明在这次GLE事件中太阳质子可被加速到能量大于10GeV.     

FAAS法测定硫酸中的铜、铁和锌

采用火焰原子吸收光谱法测定硫酸中铜、铁和锌,确定了最佳仪器工作条件和样品处理方法.在选择好的实验条件下,测定铜的特征浓度为0.005μg/mL/1%;铁的特征浓度为0.014μg/mL/1%吸收;锌的特征浓度为0.002μg/mL/1%吸收.回收率分别为铜97.7%-98.2%,铁98.2%-99.4%,锌96.8%-98.7%.     

The electrical properties and phase transformation of PLZST 2/85/13/2 antiferroelectric thin films on different bottom electrode

Pb_0.97La_0.02(Zr_0.85Sn_0.13Ti_0.02)O₃ (PLZST 2/85/13/2) antiferroelectric thin films were deposited on Pt(111)/Ti/SiO₂/Si and LaNiO₃(LNO)/SiO₂/Si substrates through a modified sol-gel process. The phase structure and microstructure of PLZST 2/85/13/2 antiferroelectric thin films were analysed by x-ray diffraction (XRD), scanning electron microcopy (SEM) and field-emission SEM (FE-SEM). The antiferroelectric nature of the PLZST 2/85/13/2 thin films on two electrodes was demonstrated by the C-V (capacitance-voltage) and P-E (polarization-electric field) measurement. The maximum polarizations for PLZST 2/85/13/2 films on Pt and LNO electrodes were 42 and 18 μC/cm², respectively. The temperature dependence of the dielectric property of the PLZST 2/85/13/2 films was measured under different dc electric fields. Also, the phase transformation of the PLZST 2/85/13/2 films was studied in detail as a function of temperature and dc electric field.