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51.
Abstract Gastrodigenin, also known as 4-hydroxybenzyl alcohol (HBA), is one of the main components of Gastrodia elata, which is a perfect lead compound of natural products. In order to get new active compounds, we modified the structure of HBA through esterification with carboxylic acid, and got a series of derivatives in which 4-hydroxybenzyl alcohol 2-naphthoate (NHBA) showed stronger antidepressant activity than HBA. In this paper, we firstly evaluated the antidepressant activity of NHBA by tail suspension test (TST) and forced swimming test (FST). Then, we carried out the biochemical assay and western blot to determine its mechanism. The results displayed that NHBA could increase the content of serotonin, dopamine, norepinephrine, γ-aminobutyric acid, brain-derived neurotrophic factor (BDNF) and tropomyosin receptor kinase B (TrkB) in mice brain. It suggested that NHBA exhibited an antidepressant-like effect through monoaminergic system, GABAergic system and BDNF/TrkB signaling pathways. 相似文献
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55.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
56.
瞄准线高精度稳定是机载光电稳瞄系统的主要指标和关键技术。根据四框架稳瞄系统的工作原理,以手动跟踪模式为主要研究对象,建立了稳瞄伺服控制系统模型。考虑到直升机扰动特点,对线扰动、角速率扰动、摩擦力矩、弹性力矩等各种扰动因素也建立相应的数学模型,同时在各种扰动因素作用下利用Matlab对机载高精度稳瞄系统的手动跟踪控制模式进行了仿真设计分析和理论研究,设计出适合的控制器。此模型在实际系统中获得验证,对稳瞄伺服控制系统的设计具有参考意义。 相似文献
57.
58.
5‐Amino‐4‐methyl‐2‐phenyl‐6‐substitutedfuro[2,3‐d]pyrimidines ( 2a‐c ) were reacted with 2,5‐dimethoxytetrahydrfuran to afford the pyrrolyl derivatives 3a‐c . Compound 3a was chosen as intermediate for the synthesis of poly fused heterocycles incorporated furopyrimidines moiety 4–11 . Some of the synthesized compounds were screened for their antibacterial and antifungal activities. 相似文献
59.
60.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献