全文获取类型
收费全文 | 2284篇 |
免费 | 473篇 |
国内免费 | 1159篇 |
专业分类
化学 | 1898篇 |
晶体学 | 111篇 |
力学 | 255篇 |
综合类 | 71篇 |
数学 | 421篇 |
物理学 | 1160篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 24篇 |
2022年 | 104篇 |
2021年 | 96篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 73篇 |
2018年 | 84篇 |
2017年 | 121篇 |
2016年 | 92篇 |
2015年 | 116篇 |
2014年 | 170篇 |
2013年 | 224篇 |
2012年 | 204篇 |
2011年 | 233篇 |
2010年 | 198篇 |
2009年 | 238篇 |
2008年 | 225篇 |
2007年 | 222篇 |
2006年 | 227篇 |
2005年 | 208篇 |
2004年 | 147篇 |
2003年 | 98篇 |
2002年 | 125篇 |
2001年 | 113篇 |
2000年 | 111篇 |
1999年 | 55篇 |
1998年 | 32篇 |
1997年 | 27篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 22篇 |
1993年 | 32篇 |
1992年 | 24篇 |
1991年 | 16篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 25篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 6篇 |
1971年 | 1篇 |
排序方式: 共有3916条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen. 相似文献
32.
33.
34.
We theoretically investigate the energy band structure and Josephson dynamics of a spin-orbit coupled Bose-Einstein condensate in a double-well potential. We study the energy band structure and the corresponding tunneling dynamics of the system by properly adjusting the SO coupling, Raman coupling, Zeeman field and atomic interactions. The coupled effects of SO coupling, Raman coupling, Zeeman field and atomic interactions lead to the appearance of complex energy band structure including the loop structure. Particularly, the emergence of the loop structure in energy band also depends on SO coupling, Raman coupling, Zeeman field and atomic interactions. Correspondingly, the Josephson dynamics of the system are strongly related to the energy band structure. Especially, the emergence of the loop structure results in complex tunneling dynamics, including suppression-revival transitions and self-trapping of atoms transfer between two spin states and two wells. This engineering provides a possible means for studying energy level and corresponding dynamics of two-species SO coupled BECs. 相似文献
35.
It is shown that strong coupling of Bose–Einstein condensates to an optical cavity can be realized experimentally. With an additional driven microwave field, we show that a highly nonlinear coupling among atoms in a Bose–Einstein condensate can be induced with the assistance of the cavity mode. With such interaction, we can investigate the generation of many body entangled states. In particularly, we show that multipartite entangled GHZ states can be obtained in such architecture with current available techniques. 相似文献
36.
37.
通过在镜头前加装上转换板,利用其快速的红外上转换功能可以提高CCD对于低频窄脉冲光斑的采集效率。然而在利用传统面阵式工艺制成的上转换板采集光斑的过程中,普遍存在因上转换材料内部漫反射及局部饱和效应造成的光斑形状和光强分布的失真。针对上述问题,提出了一种新的点阵式上转换板制作工艺,并设计了点阵式上转换板光斑采集成像质量对比实验。实验结果表明,点阵式上转换板对低频窄脉冲光斑有更好的采集效果。为评价点阵式上转换板所采集光斑的成像质量,建立了相应的评价模型。 相似文献
38.
Trap States in Al2O3 InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structures by Frequency-Dependent Conductance Analysis 下载免费PDF全文
ZHANG Peng ZHAO Sheng-Lei XUE Jun-Shuai ZHANG Kai MA Xiao-Hua ZHANG Jin-Cheng HAO Yue 《中国物理快报》2014,(3):137-139
We present a detailed analysis of the trap states in atomic layer deposition Al2O3/InAlN/GaN high electron mobility transistors grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition. Trap densities, trap energies and time constants are determined by frequency-dependent conductance measurements. A high trap density of up to 1.6×1014 cm?2eV?1 is observed, which may be due to the lack of the cap layer causing the vulnerability to the subsequent high temperature annealing process. 相似文献
39.
用一种计算直接键连原子核自旋耦合常数的半经验公式,结合量子化学计算得到的32种有机分子稳定几何构型的7种不同算法下的原子电荷,探究原子电荷算法的不同对1JCH理论计算的影响,拟合出基于7种原子电荷的耦合常数计算公式,并利用拟合公式对5种分子进行了检验.计算结果表明拟合的32种分子及检验的5种分子的耦合常数的计算值均与实验值较好的符合,拟合得到的基于7种原子电荷的计算公式均可以对其他分子体系的耦合常数进行预测.另外,计算结果同样显示原子电荷算法的不同对1JCH理论计算值有一定的影响却不显著,其中基于电荷均衡方法电荷(QEq)得出的耦合常数计算值与实验值的偏差较其它6种原子电荷的小,结果更可靠. 相似文献
40.
设计和建造大型磁体系统(包括常温和低温超导磁体)是目前核聚变工程中重要的问题之一。而磁体研制的核心问题都与强大机械力的存在有关。因此开展对磁体及结构材料应力的研究工作就显得特别重要。 近年来开始应用声学方法研究磁体中与力有关的问题(例如用声发射技术探测超导磁体的工作情况),已取得了有希望的结果。我们对低温与超导磁体中常用结构材料进行过声发射实验研究,也对目前尚存在争论的“磁体猝灭的声发射预测”问题进行了实验研 相似文献