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941.
The age of information (AoI) metric was proposed to measure the freshness of messages obtained at the terminal node of a status updating system. In this paper, the AoI of a discrete time status updating system with probabilistic packet preemption is investigated by analyzing the steady state of a three-dimensional discrete stochastic process. We assume that the queue used in the system is Ber/Geo/1/2*/η, which represents that the system size is 2 and the packet in the buffer can be preempted by a fresher packet with probability η. Instead of considering the system’s AoI separately, we use a three-dimensional state vector (n,m,l) to simultaneously track the real-time changes of the AoI, the age of a packet in the server, and the age of a packet waiting in the buffer. We give the explicit expression of the system’s average AoI and show that the average AoI of the system without packet preemption is obtained by letting η=0. When η is set to 1, the mean of the AoI of the system with a Ber/Geo/1/2* queue is obtained as well. Combining the results we have obtained and comparing them with corresponding average continuous AoIs, we propose a possible relationship between the average discrete AoI with the Ber/Geo/1/c queue and the average continuous AoI with the M/M/1/c queue. For each of two extreme cases where η=0 and η=1, we also determine the stationary distribution of AoI using the probability generation function (PGF) method. The relations between the average AoI and the packet preemption probability η, as well as the AoI’s distribution curves in two extreme cases, are illustrated by numerical simulations. Notice that the probabilistic packet preemption may occur, for example, in an energy harvest (EH) node of a wireless sensor network, where the packet in the buffer can be replaced only when the node collects enough energy. In particular, to exhibit the usefulness of our idea and methods and highlight the merits of considering discrete time systems, in this paper, we provide detailed discussions showing how the results about continuous AoI are derived by analyzing the corresponding discrete time system and how the discrete age analysis is generalized to the system with multiple sources. In terms of packet service process, we also propose an idea to analyze the AoI of a system when the service time distribution is arbitrary.  相似文献   
942.
Eu3+掺杂硼酸盐玻璃的光谱性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
测试了不同浓度掺杂下Eu^3+离子在硼酸盐玻璃的吸收光谱、激发光谱与发射光谱,根据荧光光谱计算了各样品的强度参数力2与/24,分析了Eu^3+离子掺杂浓度对其发光强度的影响.研究结果表明:在Eu^3+离子高掺杂浓度时,会发生浓度猝灭效应,但由于Eu^3+激活离子之间能量传递几率很小,使得Eu^3+离子猝灭浓度较高。  相似文献   
943.
光谱法研究水溶性杯[8]芳烃对伊红的分子识别作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用荧光光谱法和紫外-可见光谱法研究了水溶性对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃(简称杯[8]胺)对伊红的分子识别作用。研究发现,对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃与伊红存在较强的静电作用,两者之间形成了2:1型的络合物,络合常数为2.1×109Lmol-1,小牛胸腺DNA对杯[8]胺-伊红络合物的稳定性有较大影响,DNA能夺取杯[8]胺-伊红络合物中的杯[8]胺,导致伊红游离,预示着杯[8]胺是良好的药物载体分子。同时考察了β-环糊精、几种常见有机溶剂和溶液的pH值等对杯[8]胺与伊红相互作用的影响,初步探讨了两者相互作用的机理。  相似文献   
944.
太阳能驱动水蒸发是光热利用的重要途径,光-热-蒸汽转化可通过纳米流体吸收太阳能生成蒸汽.本文提出光散射气泡耦合光吸收纳米颗粒强化光能转换的新思路,在太阳能纳米流体蒸发体系中引入气泡群,这些动态气泡作为光能散射与传递中心,延长了入射光路径并倍增了光通量;同时提供了极大的气液界面完成气泡吸湿,以及破水而出的炸裂扰动加速蒸汽...  相似文献   
945.
在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线.产物经X射线衍射(XRD)、热重-差示扫描量热(TG-DSC)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能量色散谱(EDS)和选区电子衍射(SAED)等表征手段进行分析,结果表明纳米线为无定形结构,直径为100~150nm.在波长为220nm的光激发下,产物的光致发光光谱(PL)在563nm和289nm处分别出现了一个强的绿光发光峰和一个弱的紫光发光峰.对纳米线的生长机理进行分析,表明纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制控制模式.  相似文献   
946.
本文简述了疏水性表面的基本原理,分别从低表面能物质修饰和表面微细粗糙结构的构建两个方面,对疏水性陶瓷材料的制备技术和最新的成果进行了总结,介绍了其潜在的应用并对未来的研究方向作了展望.  相似文献   
947.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…  相似文献   
948.
工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45~1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400~800 nm)透过率为91.9;,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.  相似文献   
949.
6H-SiC衬底片的表面处理   总被引:1,自引:0,他引:1  
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.  相似文献   
950.
金属离子Fe3+对KDP晶体的生长和光学性质有明显影响.本文在前期研究的基础上[1]系统考察了该杂质离子对KDP晶体光学质量的影响.实验结果表明,三价金属离子Fe3+会降低KDP晶体的透光率,同时对晶体均匀性和光损伤阈值也有明显影响.光损伤阈值降低的主要原因在于杂质诱发缺陷导致的电子崩电离、多光子电离(尤其是双光子电离)等过程的发生.  相似文献   
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