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101.
102.
Ricciardi MV Enqvist T Pereira J Benlliure J Bernas M Casarejos E Henzl V Kelić A Taïeb J Schmidt KH 《Physical review letters》2003,90(21):212302
Precise momentum distributions of identified projectile fragments, formed in the reactions 238U+Pb and 238U+Ti at 1A GeV, are measured with a high-resolution magnetic spectrometer. With increasing mass loss, the velocities first decrease as expected from previously established systematics, then level off, and finally increase again. Light fragments are on the average even faster than the projectiles. This finding is interpreted as the response of the spectators to the participant blast. The reacceleration of projectile spectators is sensitive to the nuclear mean field and provides a new tool for investigating the equation of state of nuclear matter. 相似文献
103.
Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time 下载免费PDF全文
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
104.
105.
106.
具有可选服务的M/M/l排队模型的豫解集 总被引:1,自引:0,他引:1
邢喜民 《新疆大学学报(理工版)》2008,25(4)
运用线性算子及其共轭算子的谱之间的关系,研究具有可选服务的M/M/1排队模型主算子的豫解集,并得到在虚轴上除了零外其它所有点都属于该算子的豫解集. 相似文献
107.
本文修改了Landshoff-Nachtmann的软玻密子(Pomeron P)场论模型.从强子组分夸克具有结构的观点出发,根据高能强作用软过程中的最大非微扰强作用反应假定,提出了有关软P新的结构图像.对撞强子中的一对组分夸克被分解为裸夸克和一系列非微扰胶子(和夸克对).与此相应,软P的结构是由胶子形成的一系列切割梯形图之和所代表.在系统能量s很大而动量转移|t|很小的多重雷吉(Regge)运动学区间,并在保留lns的领头阶近似下,计算了这组切割梯形图之和所对应的散射振幅和总截面.它们的表达式出现了对s的Regge型幂次因子,得出了软P轨迹的简洁表达式.简单说明了按本文提出的方案可以讨论那些相关的强作用过程. 相似文献
108.
报道了以流变相-先驱物法制备稀土复合氧化物ZnSm2O4的软化学方法.首先用流变相法合成了草酸盐先驱物,然后用差热分析(DTA)和热重分析(TG)研究了先驱物在空气中的热分解过程;用X射线粉末衍射和红外光谱表征了热分解固体产物;最后研究了ZnSm2O4固体紫外-可见吸收光谱.结果表明,ZnSm2O4为尖晶石结构,晶胞参数a=0.921 453 nm,晶胞体积V=0.782 38 nm3,化合物在紫外-可见范围内存在吸收.其中,236.2 nm为Sm3+-O2-电荷转移跃迁,而383.4,405.2,495.4 nm为Sm3+的4G5/2→7HJ/2(J=5,7,9)的电子跃迁. 相似文献
109.
以氧化石墨烯(GO)为原料,N-溴代丁二酰亚胺(NBS)为溴代试剂,硫代硫酸钠为还原剂,通过羧基化、溴化和还原三步法,采用自由基反应的方式制备了溴功能化还原氧化石墨烯(rGOBr).通过X射线衍射、扫描电子显微镜、红外光谱、拉曼光谱以及X射线光电子能谱等手段对rGOBr的结构、微观形貌和元素组成进行了表征.结果表明,溴元素以共价键的形式分布在石墨烯表面.本方法原料来源广泛、操作简单且条件温和,为石墨烯的溴功能化提供了一条新途径. 相似文献
110.