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971.
为定量测试喷射沉积合金GP区周围的晶格应变的分布,利用喷射成形技术制备了Al12Zn2.4Mg1.1Cu合金。随后对合金进行热挤压、758K固溶2小时和393K时效20小时处理。利用高分辨透射电子显微镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)和几何相位分析(Geometric Phase Analysis,GPA)软件对GP区的结构和应变场进行了测量和分析。结果表明,GP区附近的应变值在各方向差别较大,沿GP区惯习面法线方向的应变最大(εxx=-0.092),与惯习面平行方向上的应变最小(εyy=-0.004)。该项结果可解释GP区附近位错运动的差异:由于应变场在各方向上存在较大差别,产生的应变强化效果不同,导致阻碍位错运动的能力也有所不同。  相似文献   
972.
通过一步水热法合成了分散性良好、尺寸均一的桑葚状CaF2纳米材料.采用X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的结构、形貌及尺寸进行了表征,发现CaF2纳米材料是由尺寸约为50 nm的纳米粒子构成.通过对不同反应阶段产物的分析提出了其形成机理.研究了Yb3+掺杂CaF2纳米材料的近红外发光性质.  相似文献   
973.
以轴手性的BINOL/H8-BINOL(BINOL为联苯酚)和大位阻的金刚烷酰氯为原料,合成了系列新型手性单齿亚磷酸酯配体,并应用于Cu催化的二乙基锌对环烯酮的不对称1,4.共轭加成反应中.结果表明,配体结构中部分氢化的2,2'-(1,1'-联萘基)亚磷酸酯单元和金刚烷基团,有助于改善反应的对映选择性,对映选择性最高可...  相似文献   
974.
利用推广的(G′/G)展开法,借助于计算机代数系统Mathematica,获得了(2+1)维BBM方程的丰富的显式行波解,分别以含两个任意参数的双曲函数、三角函数及有理函数表示.  相似文献   
975.
976.
977.
为澄清过渡金属稀土铬氧化物YbCrO3体系中存在反常负磁化现象的物理机制,本文报道了作者通过非磁性离子Y于A位替代对过渡金属稀土铬氧化物YbCrO3体系中存在的反常负磁化特性影响的系统研究结果.实验表明,Y离子的掺杂有效抑制了母相低温下场冷测试模式中的负磁化现象,提高了零场冷测试模式中的负磁化现象出现的阈值场,证明YbCrO3体系中的负磁化现象主要起源于A位稀土离子的顺磁效应.  相似文献   
978.
以3种不同耐热型玉米植株叶片为样品,分析了在10~50 ℃温度胁迫下,样品离体叶片延迟荧光光谱的变化。实验发现:温度对延迟荧光光谱主峰685 nm的最高峰值强度(F685)和次峰730 nm的最高峰值强度(F730)的比值F685/F730产生了显著的影响。此外,不同耐热型样品在10 ℃胁迫下的F685/F730值(V10)与50 ℃胁迫下的F685/F730值(V50)之间存在显著差异:不耐热样品叶片的V10/V50高于耐热的,越耐热的样品V10/V50值越小,且随着胁迫时间的延长,V10/V50也逐渐减小。因此,通过对实验结果的分析认为,延迟荧光光谱F685/F730比值是随着温度胁迫规律变化的,F685/F730比值的温度响应曲线有望成为一种鉴定和评价植物耐热性的新方法。  相似文献   
979.
InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300 K温度范围内的发光特性.随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动.在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂.通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-x...  相似文献   
980.
一般来说,点群理论认为M(o)bius带环分子最高的对称性只能是C2.本文讨论了由18个苯环组成的环并苯的异构体分子,包括柱面的Hückel型分子(HC-[18])和扭转180°的M(o)bius带环分子(MC-[18]).结果表明除了点对称性外,M(o)bius带环分子还存在一种可称为环面螺旋旋转(TSR)变换的对称性,为此还引用了环面正交曲线坐标系.此外,还讨论了这些分子关于TSR对称性匹配的原子集和原子轨道(AO)集.根据TSR对称性的循环群特征,可以建立此类群的不可约表示及有关特征标.这类分子的分子轨道(MO)关于TSR群的不可约表示是纯的,然而所含的相应的原子轨道对称性匹配的线性组合(SALC-AO)成分可以是多种的.  相似文献   
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