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WANG Hong-Wei JIN Gen-Ming WU He-Yu XIAO Zhi-Gang ZHANG Bao-Guo DUAN Li-Min WEI Zhi-Yong LI Zu-Yu HU Rong-Jiang LIU Yong-Ying LU Zhao-Hui CHEN Ke-Liang 《中国物理C(英文版)》2002,26(11):1117-1124
The reaction of 22Na(p,γ)23Mg has been investigated at the Radioactive Ion Beam Line in Lanzhou(RIBLL) using a radioactive beam 23Al. The β+ delayed proton decay spectrum has been measured with the TOF-ΔE method and zero degree detectors. The half life of 23Al is determined to be T1/2=(476±45)ms by using a time scaler combined with the precision pulse generator,which is consistent with the other group's result of (470±30)ms. The known β+ delayed protons at Er=0.216,0.278,0.438,0.479MeV have also observed in the experiment. The resonance strength of isospin analog state (IAS) is calculated. The resonance intensity of IAS is (11.4±6.0)meV. A new energy level of β+ delayed proton decay has been identified at Ex=8.916MeV,and their relative intensity also been obtained. 相似文献
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散射问题是高能辐射成像研究中的一个重要问题,采用蒙特卡罗模拟来确定散射对提取客体信息的影响是一种重要的研究手段。简单介绍了FXRMC和MCNP4B程序的特点及其记录方式;在确保相同输入参数的条件下,针对不同的照相模型进行了对比计算。结果表明两个程序计算的散射照射量相对差别小于5%,说明这两个程序具有较高的符合程度。通过与实验结果的比较发现,这两个程序模拟的散射分布与实验结果基本一致,均可用于高能闪光照相的模拟研究。还给出了在散射检验方面的一些建议。 相似文献
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本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。 相似文献
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本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分
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