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51.
1974年,Neal根据Kac和Siegert的思想,给出了一个在电子工程、海洋工程、建筑工程、航空工程、自动控制的随机振动中有重要应用的二阶Volterra非线性系统对平稳正态输入的统计响应的表示定理.1984年,Naess对此定理又给出了一个数学证明.经过研究后发现,他们对定理条件的叙述都是模糊的,而且其数学证明都是有问题的.本文重新讨论了这个表示定理,给出了明确的定理条件及严格的数学证明,为它的广泛应用奠定了理论基础. 相似文献
52.
Fan Ruzong 《数学学报(英文版)》1991,7(3):224-240
LetX(t) be a symmetric conservative Hunt process. In this paper, we decompose the functionalu(X(t), t) into a sum of a square integrable martingale and a regular 0-quadratic variation process.
This paper is based on the author's dissertation, presented for the degree of Doctor of philosophy in Institute of Applied
Mathematics, Academia Sinica under the supervision of Prof. Yan Jia-an. 相似文献
53.
Influence of buffer layer thickness on the structure and optical properties of ZnO thin films 总被引:1,自引:0,他引:1
A series of ZnO thin films were deposited on ZnO buffer layers by DC reactive magnetron sputtering. The buffer layer thickness determination of microstructure and optical properties of ZnO films was investigated by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), optical transmittance and absorption measurements. XRD results revealed that the stress of ZnO thin films varied with the buffer layer thickness. With the increase of buffer layer thickness, the band gap edge shifted toward longer wavelength. The near-band-edge (NBE) emission intensity of ZnO films deposited on ZnO buffer layer also varied with the increase of thickness due to the spatial confinement increasing the Coulomb interaction between electrons and holes. The PL measurement showed that the optimum thickness of the ZnO buffer layer was around 12 nm. 相似文献
54.
在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼(Mo)丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA,上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明:Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发,箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线,探测到的最小热点直径小于30 μm。 相似文献
55.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
56.
A new formulation derived from thermal characters of inclusions and host films for estimating laser induced damage threshold has been deduced. This formulation is applicable for dielectric films when they are irradiated by laser beam with pulse width longer than tens picoseconds. This formulation can interpret the relationship between pulse-width and damage threshold energy density of laser pulse obtained experimentally. Using this formulation, we can analyze which kind of inclusion is the most harmful inclusion. Combining it with fractal distribution of inclusions, we have obtained an equation which describes relationship between number density of inclusions and damage probability. Using this equation, according to damage probability and corresponding laser energy density, we can evaluate the number density and distribution in size dimension of the most harmful inclusions. 相似文献
57.
文章提出了时间一边界跟踪模型的定义,阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法,并给出了模拟计算结果. 相似文献
58.
Iron oxide catalyst with spinel structure used for dehydrogenation of ethylbenzene is one kind of important catalyst in petrochemical industry. In this work several series of industrial catalyst were prepared with different components and different manufacturing processes. Mössbauer Spectroscopy has been used to determine the optimal components and the better manufacturing process for spinel structure formation. The results may prove useful for producing the industrial dehydrogenation catalyst with better catalytic property. 相似文献
59.
c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
60.
给出了有两层基片的微带线与频率有关的混合模分析,应用傅里叶交换域分析及新的矩阵研究推导出色散特性.除了波导波长以外,还根据功率一电流的定义计算了特征阻抗,波导波长和特征阻抗与频率的关系及其数据值结果,并将其与有关文献的结果相比较,其一致性很好. 相似文献