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121.
结合生产实际中具体的下料问题,本文建立了该类问题的优化模型,并提出下料方式的遴选三准则,即高利用率优先准则,长度优先准则和时间优先准则.运用本文的算法对一维下料的利用率高达99.6%,机器时间4秒.对二维的利用率为98.9%,机器时间约7秒. 相似文献
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123.
Fractional factorial split-plot (FFSP) designs have an important value of investigation for their special structures. There are two types of factors in an FFSP design: the whole-plot (WP) factors and sub-plot (SP) factors, which can form three types of two-factor interactions: WP2fi, WS2fi and SP2fi. This paper considers FFSP designs with resolution III or IV under the clear effects criterion. It derives the upper and lower bounds on the maximum numbers of clear WP2fis and WS2fis for FFSP designs, and gives some methods for constructing the desired FFSP designs. It further examines the performance of the construction methods. 相似文献
124.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 相似文献
125.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
126.
Chong-Guang Cao Zhong-Peng Yang Xian Zhang 《Journal of Applied Mathematics and Computing》2002,10(1-2):101-109
We extend two inequalities involving Hadamard products of positive definite Hermitian matrices to positive semi-definite Hermitian matrices. Simultaneously, we also show the sufficient conditions for equalities to hold. Moreover, some other matrix inequalities are also obtained. Our results and methods are different from those which are obtained by S. Liu in [J. Math. Anal. Appl. 243:458–463(2000)] and B.-Y. Wang et al. in [Lin. Alg. Appl. 302–303: 163–172(1999)]. 相似文献
127.
ON A LINEAR DELAY DIFFERENCE EQUATION WITH IMPULSES 总被引:2,自引:0,他引:2
IIntroductlonLet N denote the set of all Integers.FOr any a;b E N,define N(a)={a,a+1,…},N(a,b)二{a,a+1,…,b}when a<b.Consider the dlf卜巳renceequationl 凸x。+P。x。-。=0;nEN(0)andN4n。;2—“-””’”门二l0 凸X。,=~X。,,JENO);where A denotes the forward difference operator八。。=x。+l一 x。,{P。} Isa sequence ofnon-negative real numbers,{nj}Is a sequence ofnon-negativeIntegers with nj<nj+lfor j E N(1)and nj一 co as ;一 co,{4}Is a sequence。I优。且皿mb ers,… 相似文献
128.
129.
Let G=(V(G),E(G)) be a graph. A (n,G, λ)‐GD is a partition of the edges of λKn into subgraphs (G‐blocks), each of which is isomorphic to G. The (n,G,λ)‐GD is named as graph design for G or G‐decomposition. The large set of (n,G,λ)‐GD is denoted by (n,G,λ)‐LGD. In this work, we obtain the existence spectrum of (n,P3,λ)‐LGD. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Combin Designs 10: 151–159, 2002; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/jcd.10008 相似文献
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