高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.     

硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究. 研究表明：等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH^*峰强度;硼烷的加入,使得SiH^*和Hα^*峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而I_{［Hα^*］关键词： 甚高频等离子增强化学气相沉积 等离子体 发光基团 空间分布}     

高压下Al0.77Mn0.19Yb0.04合金准晶T相的形成及结构

利用静高压(4.2GPa)熔态(1300℃)淬火(10~2℃/S)方法,对含稀土的铝锰合金Al_(0.77)Mn_(0.10)Yb_(0.04)进行了研究。首次发现了准晶T相的形成。利用选区透射电子衍射技术,对合金中准晶态的结构对称性进行了观察和分析。根据X射线和电子衍射对其衍射峰进行了指标化。使用扫描电镜和能谱技术进行了成份分析。     

Cd(0.2)-Sn-Zn三元合金高压垂直截面相图的测定

 采用高压DTA方法，测定了Cd-Sn-Zn三元系中x_Cd=20 at.%截面的高压垂直截面相图，实验压力为0，0.5，1.0，1.5 GPa。所得高压相图与常压相图比较，在p=1.5 GPa时低共晶点上移了大约35 K，共析组成在加压过程中几乎不变。这种变化趋势与理论计算的结果相图，所得高压相图的液相线与计算相图的一致。     

Finite-element calculation of the influence of interdiffusion on eigenstates in a GaAs/Al x Ga1-x As single-quantum-well structure

The influence of interdiffusion on eigenstates in an interdiffusion-induced GaAs/Al_xGa_1-xAs single-quantum-well structure is analysed numerically by the finite element method. In this approach, the confinement potential profile of the interdiffused quantum well structure is nonlinear and is modelled by an error function and, in particular, the nature of the effective mass of an electron is considered. The results show that the number of eigenstates and energy levels varies with the extent of the interdiffusion. Numerical results for the quasi-bound states in the quantum well structure with an applied electric field are also presented.     

γ辐射引发淀粉目由基衰减的动力学研究

用ESR方法研究了红薯淀粉在γ射线预辐照下,产生的淀粉自由基特性及其室温下的自由基衰减动力学反应。结果表明在室温条件下,淀粉自由基的相对浓度随辐射剂量的增大而增加。自由基相对浓度的室温衰减用二级反应动力学处理,求得了衰减速率常数和淀粉自由基反应的半衰期。     

高阶色散下啁啾孤子的演化特性

本文解析地研究初始注入光纤的带啁啾Sech形脉冲(1≠N<3/2)的演化特性。在文献5的基础上,主要利用变分原理,同时把高阶色散项作为摄动项,近似求解了脉冲振幅、脉宽以及频率啁啾参数随传输距离的演化方程。结果表明,高阶色散有助于光纤中渐近孤子的形成。